产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2800pF @ 10V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V MICROFOOT
详细描述:表面贴装 P 沟道 1.1W(Ta),2.7W(Tc) 4-WLCSP(1.6x1.6)
型号:
SI8425DB-T1-E1
仓库库存编号:
SI8425DB-T1-E1CT-ND
别名:SI8425DB-T1-E1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2800pF @ 10V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET P-CH 30V 24A 8HWSON
详细描述:表面贴装 P 沟道 24A(Tc) 1.5W(Ta) 8-HWSON(3.3x3.3)
型号:
UPA2814T1S-E2-AT
仓库库存编号:
UPA2814T1S-E2-AT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2800pF @ 10V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET P-CH 40V 36A TO-252
详细描述:表面贴装 P 沟道 36A(Tc) 1.2W(Ta),56W(Tc) TO-252(MP-3ZK)
型号:
NP36P04SDG-E1-AY
仓库库存编号:
NP36P04SDG-E1-AYCT-ND
别名:NP36P04SDG-E1-AYCT
NP36P04SDGE1AY
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2800pF @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 40V 65A DPAK-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 65A(Ta) 88W(Tc) DPAK+
型号:
TK65S04K3L(T6L1,NQ
仓库库存编号:
TK65S04K3L(T6L1NQ-ND
别名:TK65S04K3L(T6L1NQ
TK65S04K3LT6L1NQ
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2800pF @ 10V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET P-CH 40V 36A TO-263
详细描述:表面贴装 P 沟道 40V 36A(Tc) 1.8W(Ta),56W(Tc) TO-263
型号:
NP36P04KDG-E1-AY
仓库库存编号:
NP36P04KDG-E1-AY-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2800pF @ 10V,
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 40V 80A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 40V 80A(Tc) 1.5W(Ta),84W(Tc) TO-220AB
型号:
2SK3430-AZ
仓库库存编号:
2SK3430-AZ-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2800pF @ 10V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 40V 80A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 40V 80A(Tc) 1.5W(Ta),84W(Tc) TO-220AB
型号:
2SK3430-Z-E1-AZ
仓库库存编号:
2SK3430-Z-E1-AZ-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2800pF @ 10V,
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