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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 100V 12A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 42W（Tc） TO-252-3
  
  型号：DMN10H170SK3-13
  仓库库存编号：DMN10H170SK3-13DICT-ND
  别名：DMN10H170SK3-13DICT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1167pF @ 25V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.6A（Ta） 1.2W（Ta） TSOT-26
  
  型号：DMN10H170SVT-7
  仓库库存编号：DMN10H170SVT-7DICT-ND
  别名：DMN10H170SVT-7DICT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1167pF @ 25V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 2.6A（Ta） 1.2W（Ta） TSOT-26
  
  型号：DMN10H170SVTQ-7
  仓库库存编号：DMN10H170SVTQ-7DICT-ND
  别名：DMN10H170SVTQ-7DICT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1167pF @ 25V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.9A（Ta） 660mW（Ta） U-DFN2020-6（E 类）
  
  型号：DMN10H170SFDE-7
  仓库库存编号：DMN10H170SFDE-7DICT-ND
  别名：DMN10H170SFDE-7DICT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1167pF @ 25V,
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