产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1900pF @ 20V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 49A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 13A(Ta),49A(Tc) 2.5W(Ta),35W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC093N04LSGATMA1
仓库库存编号:
BSC093N04LSGATMA1CT-ND
别名:BSC093N04LS GCT
BSC093N04LS GCT-ND
BSC093N04LSGATMA1CT-NDTR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1900pF @ 20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 40A TSDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Ta),40A(Tc) 2.1W(Ta),35W(Tc) PG-TSDSON-8
型号:
BSZ097N04LS G
仓库库存编号:
BSZ097N04LSGINCT-ND
别名:BSZ097N04LSGINCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1900pF @ 20V,
无铅
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EPC
MOSFET NCH 40V 31A DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 31A(Ta) 模具
型号:
EPC2030ENGRT
仓库库存编号:
917-EPC2030ENGRCT-ND
别名:917-EPC2030ENGRCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1900pF @ 20V,
无铅
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EPC
TRANS GAN 40V 31A BUMPED DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 31A(Ta) 模具
型号:
EPC2030ENGR
仓库库存编号:
917-EPC2030ENGR-ND
别名:917-EPC2030ENGR
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1900pF @ 20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 40A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 40A(Tc) 42W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD105N04LGBTMA1
仓库库存编号:
IPD105N04LGBTMA1TR-ND
别名:IPD105N04L G
IPD105N04L G-ND
SP000354796
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1900pF @ 20V,
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