产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 600pF @ 25V,
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晶体管 - FET，MOSFET - 单
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封装/外壳
制造商
安装类型
工作温度
系列
包装
零件状态
供应商器件封装
技术
Vgs（最大值）
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
FET 类型
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
FET 功能
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
功率耗散（最大值）
漏源电压（Vdss）
TO-261-4，TO-261AA(1)
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63(9)
TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB(9)
TO-220-3(7)
TO-220-3 整包(8)
SOT-23-6(2)
PowerPAK? SO-8(1)
TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA(1)
TO-220-2 整包(1)
TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA(3)
6-PowerVDFN(1)
重新选择
Diodes Incorporated(2)
Fairchild/ON Semiconductor(13)
Rohm Semiconductor(1)
Toshiba Semiconductor and Storage(7)
Vishay Siliconix(12)
Renesas Electronics America(4)
Infineon Technologies(4)
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表面贴装(23)
通孔(20)
重新选择
-55°C ~ 150°C（TJ）(25)
-65°C ~ 175°C（TJ）(4)
-55°C ~ 175°C（TJ）(2)
150°C（TJ）(12)
重新选择
-(24)
汽车级，AEC-Q101，TrenchFET?(1)
SuperFET??(4)
CoolMOS??(1)
HEXFET?(1)
UniFET-II??(3)
π-MOSVII(7)
TEMPFET?(2)
重新选择
剪切带（CT） (8)
散装 (3)
带卷（TR） (13)
管件 (19)
重新选择
在售(22)
已不再提供(1)
不可用于新设计(2)
过期(18)
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D-Pak(7)
D2PAK(6)
TO-220-3(2)
TO-220AB(4)
TO-220(2)
TO-220FP(1)
SOT-23-6(2)
PowerPAK? SO-8(1)
D2PAK（TO-263AB）(2)
TO-220F(1)
I-Pak(1)
TO-220FM(1)
PG-SOT223-4(1)
TO-220SIS(5)
I2PAK(3)
TO-220FL(1)
6-PQFN（2x2）(1)
MP-3A(2)
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MOSFET（金属氧化物）(43)
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±30V(28)
±20V(6)
±16V(4)
±25V(3)
重新选择
-(4)
14nC @ 10V(1)
13nC @ 10V(3)
19nC @ 10V(4)
16nC @ 10V(4)
17nC @ 10V(1)
22nC @ 10V(11)
12nC @ 10V(7)
20nC @ 10V(1)
8.7nC @ 10V(1)
17nC @ 5V(4)
12.6nC @ 10V(2)
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2 欧姆 @ 2A，10V(1)
50 毫欧 @ 7.8A，10V(2)
950 毫欧 @ 2.8A，10V(1)
950 毫欧 @ 2.3A，10V(4)
1 欧姆 @ 3.3A，10V(11)
1.5 欧姆 @ 2.5A，10V(1)
1.6 欧姆 @ 2.5A，10V(2)
1.3 欧姆 @ 3A，10V(4)
33 毫欧 @ 7A，10V(1)
16 毫欧 @ 8.5A，10V(1)
80 毫欧 @ 15A，10V(4)
200 毫欧 @ 5A，10V(2)
2 欧姆 @ 2.25A，10V(2)
1.22 欧姆 @ 3.5A，10V(2)
1.48 欧姆 @ 2.8A，10V(1)
280 毫欧 @ 4.9A，10V(1)
280 毫欧 @ 3.9A，10V(1)
1.7 欧姆 @ 2A，10V(1)
1.9 欧姆 @ 1.8A，10V(1)
重新选择
10V(33)
5V，10V(4)
4.5V，10V(4)
重新选择
N 沟道(41)
P 沟道(2)
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5A（Tc）(1)
10A（Tc）(2)
4A（Tc）(1)
3.5A（Ta）(1)
4A（Ta）(1)
6A（Ta）(4)
5A（Ta）(2)
3.7A（Ta）(2)
5.5A（Ta）(1)
7.8A（Tc）(1)
15A（Tc）(5)
800mA（Ta）(1)
4.5A（Tc）(2)
7A（Ta）(2)
4.6A（Tc）(4)
5.5A（Tc）(11)
9.7A（Tc）(1)
8.8A（Ta），19A（Tc）(1)
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600pF @ 25V(43)
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-(43)
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-(4)
4V @ 250μA(3)
2V @ 250μA(4)
2.5V @ 250μA(1)
1V @ 250μA(2)
5V @ 250μA(7)
3.5V @ 1mA(2)
4.5V @ 250μA(10)
2.35V @ 25μA(1)
4.4V @ 1mA(8)
5.5V @ 200μA(1)
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-(3)
45W（Tc）(1)
33W（Tc）(1)
100W（Tc）(3)
35W（Tc）(5)
40W（Tc）(1)
1.1W（Ta）(2)
74W（Tc）(10)
50W（Tc）(4)
65W（Tc）(1)
83W（Tc）(1)
1.8W（Ta）(1)
54W（Tc）(4)
29W（Tc）(1)
2.5W（Ta），32W（Tc）(1)
49W（Tc）(1)
2.1W（Ta）(1)
27.4W（Tc）(1)
77.6W（Tc）(1)
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50V(2)
100V(2)
40V(1)
30V(3)
60V(4)
600V(11)
400V(11)
650V(1)
500V(5)
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 3.7A SOT-23-6
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.7A（Ta） 1.1W（Ta） SOT-23-6
型号：
ZXMN3A03E6TA
仓库库存编号：
ZXMN3A03E6CT-ND
别名：ZXMN3A03E6CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 600pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 4.6A（Tc） 54W（Tc） D-Pak
型号：
FCD5N60TM
仓库库存编号：
FCD5N60TMCT-ND
别名：FCD5N60TMCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 600pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V DPAK-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Tc） 83W（Tc） D-Pak
型号：
FDD5N60NZTM
仓库库存编号：
FDD5N60NZTMCT-ND
别名：FDD5N60NZTMCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 600pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 15A SO8
详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Tc） 45W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SQJ148EP-T1_GE3
仓库库存编号：
SQJ148EP-T1_GE3CT-ND
别名：SQJ148EP-T1_GE3CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 600pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 4.6A（Tc） 54W（Tc） D-Pak
型号：
FCD5N60TM_WS
仓库库存编号：
FCD5N60TM_WSCT-ND
别名：FCD5N60TM_WSCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 600pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 5.5A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 5.5A（Tc） 74W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF730APBF
仓库库存编号：
IRF730APBF-ND
别名：*IRF730APBF
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 600pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 5.5A（Tc） 74W（Tc） D2PAK
型号：
IRF730ASPBF
仓库库存编号：
IRF730ASPBF-ND
别名：*IRF730ASPBF
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 600pF @ 25V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 5A TO220FM
详细描述：通孔 N 沟道 5A（Tc） 40W（Tc） TO-220FM
型号：
ZDX050N50
仓库库存编号：
ZDX050N50-ND
别名：ZDX050N50CT
ZDX050N50CT-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 600pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 4.5A TO-220F
详细描述：通孔 N 沟道 4.5A（Tc） 33W（Tc） TO-220F
型号：
FDPF5N60NZ
仓库库存编号：
FDPF5N60NZ-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 600pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 4.5A TO-220-3
详细描述：通孔 N 沟道 4.5A（Tc） 100W（Tc） TO-220-3
型号：
FDP5N60NZ
仓库库存编号：
FDP5N60NZ-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 600pF @ 25V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 525V 6A DPAK-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Ta） 100W（Tc） D-Pak
型号：
TK6P53D(T6RSS-Q)
仓库库存编号：
TK6P53D(T6RSS-Q)-ND
别名：TK6P53DT6RSSQ
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 600pF @ 25V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 500V 7A DPAK-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Ta） 100W（Tc） D-Pak
型号：
TK7P50D(T6RSS-Q)
仓库库存编号：
TK7P50D(T6RSS-Q)-ND
别名：TK7P50DT6RSSQ
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 600pF @ 25V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 500V 6A MP3A
详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 6A（Ta） 65W（Tc） MP-3A
型号：
RJK5033DPD-00#J2
仓库库存编号：
RJK5033DPD-00#J2TR-ND
别名：RJK5033DPD-00#J2-ND
RJK5033DPD-00#J2TR
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 600pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 4.6A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 600V 4.6A（Tc） 54W（Tc） I-Pak
型号：
FCU5N60TU
仓库库存编号：
FCU5N60TU-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 600pF @ 25V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 550V 5.5A TO-220SIS
详细描述：通孔 N 沟道 5.5A（Ta） 35W（Tc） TO-220SIS
型号：
TK6A55DA(STA4,Q,M)
仓库库存编号：
TK6A55DA(STA4QM)-ND
别名：TK6A55DA(STA4QM)
TK6A55DASTA4QM
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 600pF @ 25V,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 525V 6A TO-220SIS
详细描述：通孔 N 沟道 6A（Ta） 35W（Tc） TO-220SIS
型号：
TK6A53D(STA4,Q,M)
仓库库存编号：
TK6A53D(STA4QM)-ND
别名：TK6A53D(STA4QM)
TK6A53DSTA4QM
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 600pF @ 25V,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 500V 7A TO-220SIS
详细描述：通孔 N 沟道 7A（Ta） 35W（Tc） TO-220SIS
型号：
TK7A50D(STA4,Q,M)
仓库库存编号：
TK7A50D(STA4QM)-ND
别名：TK7A50D(STA4QM)
TK7A50DSTA4QM
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 600pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 5.5A（Tc） 74W（Tc） D2PAK
型号：
IRF730ASTRLPBF
仓库库存编号：
IRF730ASTRLPBF-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 600pF @ 25V,
无铅
搜索
Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 500V 6A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 6A（Ta） 27.4W（Tc） TO-220FL
型号：
RJK5033DPP-M0#T2
仓库库存编号：
RJK5033DPP-M0#T2-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 600pF @ 25V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 50V 15A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 50V 15A（Tc） 50W（Tc） TO-220
型号：
NDP4050L
仓库库存编号：
NDP4050L-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 600pF @ 25V,
含铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 15A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 60V 15A（Tc） 50W（Tc） TO-220
型号：
NDP4060L
仓库库存编号：
NDP4060L-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 600pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 50V 15A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 50V 15A（Tc） 50W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
NDB4050L
仓库库存编号：
NDB4050LCT-ND
别名：NDB4050LCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 600pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 15A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 15A（Tc） 50W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
NDB4060L
仓库库存编号：
NDB4060LTR-ND
别名：NDB4060LTR
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 600pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 5.5A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 400V 5.5A（Tc） 74W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF730A
仓库库存编号：
IRF730A-ND
别名：*IRF730A
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 600pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 400V 5.5A（Tc） 74W（Tc） D2PAK
型号：
IRF730AS
仓库库存编号：
IRF730AS-ND
别名：*IRF730AS
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 600pF @ 25V,
含铅
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