产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2700pF @ 30V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 50A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 2.5W(Ta),50W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC110N06NS3GATMA1
仓库库存编号:
BSC110N06NS3GATMA1CT-ND
别名:BSC110N06NS3 GCT
BSC110N06NS3 GCT-ND
BSC110N06NS3GATMA1CT-NDTR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2700pF @ 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 23A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 23A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),83W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC028N06NSATMA1
仓库库存编号:
BSC028N06NSATMA1CT-ND
别名:BSC028N06NS
BSC028N06NS-ND
BSC028N06NSATMA1CT
BSC028N06NSCT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2700pF @ 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 20A(Tc) 2.1W(Ta),50W(Tc) PG-TSDSON-8
型号:
BSZ110N06NS3 G
仓库库存编号:
BSZ110N06NS3GINCT-ND
别名:BSZ110N06NS3GINCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2700pF @ 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 20A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 20A(Ta),80A(Tc) 3W(Ta),107W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP040N06NAKSA1
仓库库存编号:
IPP040N06NAKSA1-ND
别名:IPP040N06N
IPP040N06N-ND
SP000959820
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2700pF @ 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 78A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 78A(Tc) 158W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB110N06L G
仓库库存编号:
IPB110N06LGINCT-ND
别名:IPB110N06LG
IPB110N06LGINCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2700pF @ 30V,
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