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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 8A（Tc） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4435DYTRPBF
  仓库库存编号：SI4435DYPBFCT-ND
  别名：*SI4435DYTRPBF
  SI4435DYPBFCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2320pF @ 15V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -20V,
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 11A（Tc） 2.5W（Tc） 8-SOP
  
  型号：TSM160P02CS RLG
  仓库库存编号：TSM160P02CS RLGTR-ND
  别名：TSM160P02CS RLGTR
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2320pF @ 15V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -20V,
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 11A（Tc） 2.5W（Tc） 8-SOP
  
  型号：TSM160P02CS RLG
  仓库库存编号：TSM160P02CS RLGCT-ND
  别名：TSM160P02CS RLGCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2320pF @ 15V,
• 无铅
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -20V,
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 11A（Tc） 2.5W（Tc） 8-SOP
  
  型号：TSM160P02CS RLG
  仓库库存编号：TSM160P02CS RLGDKR-ND
  别名：TSM160P02CS RLGDKR
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2320pF @ 15V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 17A POWER56
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 17A（Ta），21A（Tc） 2.5W（Ta），78W（Tc） Power56
  
  型号：FDMS8674
  仓库库存编号：FDMS8674CT-ND
  别名：FDMS8674CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2320pF @ 15V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 12A PWR PK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 12A（Tc） 3.1W（Ta），31W（Tc） PowerPAK? ChipFet 双
  
  型号：SI5429DU-T1-GE3
  仓库库存编号：SI5429DU-T1-GE3CT-ND
  别名：SI5429DU-T1-GE3CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2320pF @ 15V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 8A（Tc） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4435DYTR
  仓库库存编号：SI4435DYTR-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2320pF @ 15V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 8A（Tc） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4435DY
  仓库库存编号：SI4435DY-ND
  别名：*SI4435DY
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2320pF @ 15V,
• 含铅
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