产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 710pF @ 25V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 25A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25A(Tc) 57W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR3105TRPBF
仓库库存编号:
IRLR3105TRPBFCT-ND
别名:IRLR3105TRPBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 710pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N CH 600V 4.5A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 4.5A(Tc) 52W(Tc) TO-251(IPAK)
型号:
FCU900N60Z
仓库库存编号:
FCU900N60Z-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 710pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 8.8A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 8.8A(Tc) 38W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF9N25C
仓库库存编号:
FQPF9N25C-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 710pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 8.8A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 8.8A(Tc) 38W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF9N25CT
仓库库存编号:
FQPF9N25CT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 710pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 8.8A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 8.8A(Tc) 38W(Tc) TO-220F-3(Y 型)
型号:
FQPF9N25CYDTU
仓库库存编号:
FQPF9N25CYDTU-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 710pF @ 25V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 18A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 60V 18A(Ta) 2.1W(Ta),55W(Tj) I-Pak
型号:
NTD18N06-001
仓库库存编号:
NTD18N06-001OS-ND
别名:NTD18N06-001OS
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 710pF @ 25V,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 18A(Ta) 2.1W(Ta),55W(Tj) DPAK
型号:
NTD18N06T4G
仓库库存编号:
NTD18N06T4GOS-ND
别名:NTD18N06T4GOS
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 710pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 8.8A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 250V 8.8A(Tc) 74W(Tc) TO-220-3
型号:
FQP9N25C
仓库库存编号:
FQP9N25C-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 710pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 8.8A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 250V 8.8A(Tc) 74W(Tc) TO-220-3
型号:
FQP9N25CTSTU
仓库库存编号:
FQP9N25CTSTU-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 710pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 8.8A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 250V 8.8A(Tc) 3.13W(Ta),74W(Tc) I2PAK(TO-262)
型号:
FQI9N25CTU
仓库库存编号:
FQI9N25CTU-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 710pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 8.8A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 8.8A(Tc) 3.13W(Ta),74W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FQB9N25CTM
仓库库存编号:
FQB9N25CTM-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 710pF @ 25V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 18A(Ta) 2.1W(Ta),55W(Tj) DPAK
型号:
NTD18N06
仓库库存编号:
NTD18N06-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 710pF @ 25V,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 18A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 60V 18A(Ta) 2.1W(Ta),55W(Tj) I-Pak
型号:
NTD18N06-1G
仓库库存编号:
NTD18N06-1G-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 710pF @ 25V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 18A(Ta) 2.1W(Ta),55W(Tj) DPAK
型号:
NTD18N06G
仓库库存编号:
NTD18N06G-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 710pF @ 25V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH WPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 14A(Ta) 25W(Tc) 8-WPAK
型号:
HAT2299WP-EL-E
仓库库存编号:
HAT2299WP-EL-E-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 710pF @ 25V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 250V 10A WPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 10A(Ta) 25W(Tc) 8-WPAK
型号:
HAT2192WP-EL-E
仓库库存编号:
HAT2192WP-EL-E-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 710pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 4.7A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 4.7A(Ta) 2W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7321D2
仓库库存编号:
IRF7321D2-ND
别名:*IRF7321D2
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 710pF @ 25V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 4.7A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 4.7A(Ta) 2W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7321D2TR
仓库库存编号:
IRF7321D2TR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 710pF @ 25V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 4.7A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 4.7A(Ta) 2W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7321D2TRPBF
仓库库存编号:
IRF7321D2PBFCT-ND
别名:*IRF7321D2TRPBF
IRF7321D2PBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 710pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 29A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 29A(Tc) 68W(Tc) P-TO252-3
型号:
SPD25N06S2-40
仓库库存编号:
SPD25N06S2-40-ND
别名:SP000013572
SPD25N06S240T
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 710pF @ 25V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 25A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 25A(Tc) 57W(Tc) D-PAK(TO-252AA)
型号:
AUIRLR3105
仓库库存编号:
AUIRLR3105-ND
别名:SP001520418
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 710pF @ 25V,
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