产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 860pF @ 25V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 150V 13A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 13A(Tc) 110W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR6215TRPBF
仓库库存编号:
IRFR6215TRPBFCT-ND
别名:IRFR6215TRPBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 860pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 12A TO-220AB
详细描述:通孔 P 沟道 12A(Tc) 88W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF9530PBF
仓库库存编号:
IRF9530PBF-ND
别名:*IRF9530PBF
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 860pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 150V 13A I-PAK
详细描述:通孔 P 沟道 13A(Tc) 110W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU6215PBF
仓库库存编号:
IRFU6215PBF-ND
别名:*IRFU6215PBF
SP001557816
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 860pF @ 25V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 25V 66A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 66A(Tc) 93W(Tc) D2PAK
型号:
PHB66NQ03LT,118
仓库库存编号:
1727-4768-1-ND
别名:1727-4768-1
568-5945-1
568-5945-1-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 860pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 12A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 12A(Tc) 3.7W(Ta),88W(Tc) D2PAK
型号:
IRF9530STRLPBF
仓库库存编号:
IRF9530STRLPBFCT-ND
别名:IRF9530STRLPBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 860pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 18.6A TO252-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 18.6A(Tc) 80W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD18P06P G
仓库库存编号:
SPD18P06P GCT-ND
别名:SPD18P06P GCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 860pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 18.7A TO-263
详细描述:表面贴装 P 沟道 18.7A(Ta) 81.1W(Ta) PG-TO263-2
型号:
SPB18P06P G
仓库库存编号:
SPB18P06PGINCT-ND
别名:SPB18P06PGINCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 860pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 7.7A TO220FP
详细描述:通孔 P 沟道 7.7A(Tc) 42W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFI9530GPBF
仓库库存编号:
IRFI9530GPBF-ND
别名:*IRFI9530GPBF
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 860pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 18.7A TO-220
详细描述:通孔 P 沟道 18.7A(Ta) 81.1W(Ta) PG-TO-220-3
型号:
SPP18P06P H
仓库库存编号:
SPP18P06P H-ND
别名:SP000446906
SPP18P06P G
SPP18P06P G-ND
SPP18P06PH
SPP18P06PHXKSA1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 860pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 150V 13A TO-220AB
详细描述:通孔 P 沟道 13A(Tc) 110W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF6215PBF
仓库库存编号:
IRF6215PBF-ND
别名:*IRF6215PBF
SP001559672
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 860pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 150V 13A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 13A(Tc) 3.8W(Ta),110W(Tc) D2PAK
型号:
IRF6215STRLPBF
仓库库存编号:
IRF6215STRLPBFCT-ND
别名:IRF6215STRLPBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 860pF @ 25V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 33A(Tc) 40W(Tc) DPAK
型号:
SVD5806NT4G
仓库库存编号:
SVD5806NT4G-ND
别名:NVD5806NT4G
NVD5806NT4G-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 860pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 150V 13A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 150V 13A(Tc) 110W(Tc) D-Pak
型号:
AUIRFR6215TRL
仓库库存编号:
AUIRFR6215TRL-ND
别名:SP001522196
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 860pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 150V 13A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 150V 13A(Tc) 3.8W(Ta),110W(Tc) D2PAK
型号:
AUIRF6215STRL
仓库库存编号:
AUIRF6215STRLTR-ND
别名:AUIRF6215STRLTR
SP001522066
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 860pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 150V 13A TO220AB
详细描述:通孔 P 沟道 150V 13A(Tc) 110W(Tc) TO-220AB
型号:
AUIRF6215
仓库库存编号:
AUIRF6215-ND
别名:SP001521586
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 860pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 12A TO-220AB
详细描述:通孔 P 沟道 100V 12A(Tc) 88W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF9530
仓库库存编号:
IRF9530-ND
别名:*IRF9530
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 860pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 12A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 12A(Tc) 3.7W(Ta),88W(Tc) D2PAK
型号:
IRF9530S
仓库库存编号:
IRF9530S-ND
别名:*IRF9530S
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 860pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 12A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 12A(Tc) 3.7W(Ta),88W(Tc) D2PAK
型号:
IRF9530STRL
仓库库存编号:
IRF9530STRL-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 860pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 7.7A TO220FP
详细描述:通孔 P 沟道 100V 7.7A(Tc) 42W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFI9530G
仓库库存编号:
IRFI9530G-ND
别名:*IRFI9530G
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 860pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 12A TO-262
详细描述:通孔 P 沟道 100V 12A(Tc) I2PAK
型号:
IRF9530L
仓库库存编号:
IRF9530L-ND
别名:*IRF9530L
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 860pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 12A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 12A(Tc) 3.7W(Ta),88W(Tc) D2PAK
型号:
IRF9530STRR
仓库库存编号:
IRF9530STRR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 860pF @ 25V,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 33A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 33A(Tc) 40W(Tc) DPAK
型号:
NTD5806NT4G
仓库库存编号:
NTD5806NT4GOSCT-ND
别名:NTD5806NT4GOSCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 860pF @ 25V,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 150V 13A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 150V 13A(Tc) 3.8W(Ta),110W(Tc) D2PAK
型号:
IRF6215S
仓库库存编号:
IRF6215S-ND
别名:*IRF6215S
SP001551138
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 860pF @ 25V,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 150V 13A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 150V 13A(Tc) 3.8W(Ta),110W(Tc) D2PAK
型号:
IRF6215STRR
仓库库存编号:
IRF6215STRR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 860pF @ 25V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 150V 13A I-PAK
详细描述:通孔 P 沟道 150V 13A(Tc) 110W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU6215
仓库库存编号:
IRFU6215-ND
别名:*IRFU6215
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 860pF @ 25V,
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