产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 65pF @ 25V,
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晶体管 - FET，MOSFET - 单
规格选型
封装/外壳
制造商
安装类型
工作温度
系列
包装
零件状态
供应商器件封装
技术
Vgs（最大值）
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
FET 类型
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
FET 功能
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
功率耗散（最大值）
漏源电压（Vdss）
TO-261-4，TO-261AA(2)
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63(1)
TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）(2)
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）(3)
3-XFDFN 裸露焊盘(1)
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On Semiconductor(2)
Nexperia USA Inc.(1)
Rohm Semiconductor(1)
Microchip Technology(5)
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表面贴装(4)
通孔(5)
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-55°C ~ 150°C（TJ）(6)
-65°C ~ 150°C（TJ）(2)
150°C（TJ）(1)
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-(9)
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剪切带（CT） (4)
散装 (3)
带卷（TR） (2)
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在售(5)
不可用于新设计(1)
过期(3)
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SOT-223(2)
TO-92-3(5)
3-DFN1006B（0.6x1）(1)
CPT3(1)
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MOSFET（金属氧化物）(9)
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±30V(2)
±20V(6)
±8V(1)
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-(5)
3.2nC @ 10V(2)
6.5nC @ 10V(1)
0.98nC @ 4.5V(1)
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3 欧姆 @ 1A，10V(5)
3.4 欧姆 @ 500mA，10V(1)
1.7 欧姆 @ 1A，10V(2)
490 毫欧 @ 200mA，4.5V(1)
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10V(3)
5V，10V(5)
1.8V，4.5V(1)
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N 沟道(9)
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300mA（Tc）(2)
900mA（Ta）(1)
1.7A（Tc）(1)
350mA（Tj）(5)
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65pF @ 25V(9)
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-(9)
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950mV @ 250μA(1)
3.5V @ 1mA(2)
4V @ 1mA(1)
2.4V @ 1mA(5)
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800mW（Ta）(2)
20W（Tc）(1)
360mW（Ta），2.7W（Tc）(1)
1W（Tc）(5)
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90V(1)
40V(2)
30V(1)
60V(4)
600V(1)
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
Microchip Technology
MOSFET N-CH 40V 350MA TO92-3
详细描述：通孔 N 沟道 350mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
型号：
VN0104N3-G
仓库库存编号：
VN0104N3-G-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 65pF @ 25V,
无铅
搜索
Microchip Technology
MOSFET N-CH 90V 0.35A TO92-3
详细描述：通孔 N 沟道 350mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
型号：
VN0109N3-G
仓库库存编号：
VN0109N3-G-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 65pF @ 25V,
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 1.7A CPT3
详细描述：表面贴装 N 沟道 1.7A（Tc） 20W（Tc） CPT3
型号：
R6002ENDTL
仓库库存编号：
R6002ENDTLCT-ND
别名：R6002ENDTLCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 65pF @ 25V,
无铅
搜索
Microchip Technology
MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3
详细描述：通孔 N 沟道 350mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
型号：
VN0106N3-G
仓库库存编号：
VN0106N3-G-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 65pF @ 25V,
无铅
搜索
Microchip Technology
MOSFET N-CH 40V 350MA TO92-3
详细描述：通孔 N 沟道 350mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
型号：
VN0104N3-G-P013
仓库库存编号：
VN0104N3-G-P013-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 65pF @ 25V,
无铅
搜索
Microchip Technology
MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3
详细描述：通孔 N 沟道 350mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
型号：
VN0106N3-G-P003
仓库库存编号：
VN0106N3-G-P003-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 65pF @ 25V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 300MA SOT223
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 300mA（Tc） 800mW（Ta） SOT-223
型号：
MMFT960T1
仓库库存编号：
MMFT960T1OSCT-ND
别名：MMFT960T1OSCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 65pF @ 25V,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 300MA SOT223
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 300mA（Tc） 800mW（Ta） SOT-223
型号：
MMFT960T1G
仓库库存编号：
MMFT960T1GOSCT-ND
别名：MMFT960T1GOS
MMFT960T1GOS-ND
MMFT960T1GOSCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 65pF @ 25V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V SGL 3DFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 900mA（Ta） 360mW（Ta），2.7W（Tc） 3-DFN1006B（0.6x1）
型号：
PMZB420UN,315
仓库库存编号：
568-10844-1-ND
别名：568-10844-1
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 65pF @ 25V,
无铅
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邮箱：
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Q Q：
800152669
手机网站：
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