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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N CH 600V 7.4A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7.4A（Tc） 89W（Tc） D-Pak
  
  型号：FCD600N60Z
  仓库库存编号：FCD600N60ZCT-ND
  别名：FCD600N60ZCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1120pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 14.5A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 14.5A（Tc） 95W（Tc） PG-TO263-3
  
  型号：BUZ31 H3045A
  仓库库存编号：BUZ31 H3045ACT-ND
  别名：BUZ31 H3045ACT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1120pF @ 25V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 8A TO220FM
  详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 40W（Tc） TO-220FM
  
  型号：ZDX080N50
  仓库库存编号：ZDX080N50-ND
  别名：ZDX080N50CT
  ZDX080N50CT-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1120pF @ 25V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N CH 600V 7.4A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 7.4A（Tc） 89W（Tc） TO-220F-3
  
  型号：FCPF600N60Z
  仓库库存编号：FCPF600N60Z-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1120pF @ 25V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N CH 600V 7.4A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 7.4A（Tc） 89W（Tc） TO-220
  
  型号：FCP600N60Z
  仓库库存编号：FCP600N60Z-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1120pF @ 25V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 32A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 32A（Tc） 58W（Tc） TO-220
  
  型号：FDP5690
  仓库库存编号：FDP5690-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1120pF @ 25V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 32A TO-263AB
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 32A（Tc） 58W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB5690
  仓库库存编号：FDB5690CT-ND
  别名：FDB5690CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1120pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 14.5A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 14.5A（Tc） 95W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：BUZ31
  仓库库存编号：BUZ31IN-ND
  别名：BUZ31-ND
  BUZ31IN
  BUZ31X
  BUZ31XK
  SP000011341
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1120pF @ 25V,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 14.5A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 14.5A（Tc） 95W（Tc） TO-263
  
  型号：BUZ31 E3045A
  仓库库存编号：BUZ31 E3045A-ND
  别名：BUZ31E3045AT
  SP000011343
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1120pF @ 25V,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 14.5A TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 14.5A（Tc） 95W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：BUZ31 E3046
  仓库库存编号：BUZ31 E3046-ND
  别名：BUZ31E3046X
  BUZ31E3046XK
  SP000011344
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1120pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 14.5A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 14.5A（Tc） 95W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：BUZ31HXKSA1
  仓库库存编号：BUZ31HXKSA1-ND
  别名：BUZ31 H
  BUZ31 H-ND
  BUZ31H
  SP000682992
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1120pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 14.5A TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 14.5A（Tc） 95W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：BUZ31H3046XKSA1
  仓库库存编号：BUZ31H3046XKSA1-ND
  别名：SP000682994
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1120pF @ 25V,
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