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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 28A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），125W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC016N03MSGATMA1
  仓库库存编号：BSC016N03MSGATMA1CT-ND
  别名：BSC016N03MSGATMA1CT-NDTR-ND
  BSC016N03MSGINCT
  BSC016N03MSGINCT-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 13000pF @ 15V,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），139W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC014N03MS G
  仓库库存编号：BSC014N03MS GCT-ND
  别名：BSC014N03MS GCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 13000pF @ 15V,
• 无铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 60A 10-POLARPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 60A（Tc） 5.2W（Ta），125W（Tc） 10-PolarPAK?（L）
  
  型号：SIE806DF-T1-E3
  仓库库存编号：SIE806DF-T1-E3CT-ND
  别名：SIE806DF-T1-E3CT
  SIE806DFT1E3
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 13000pF @ 15V,
• 无铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 60A POLARPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 60A（Tc） 5.2W（Ta），125W（Tc） 10-PolarPAK?（L）
  
  型号：SIE806DF-T1-GE3
  仓库库存编号：SIE806DF-T1-GE3-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 13000pF @ 15V,
• 无铅
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