以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 167W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD034N06N3 G
  仓库库存编号：IPD034N06N3 GINCT-ND
  别名：IPD034N06N3 GINCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 11000pF @ 30V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 100A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 2.5W（Ta），139W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC031N06NS3GATMA1
  仓库库存编号：BSC031N06NS3GATMA1CT-ND
  别名：BSC031N06NS3 GCT
  BSC031N06NS3 GCT-ND
  BSC031N06NS3GATMA1CT-NDTR-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 11000pF @ 30V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 90A（Tc） 188W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP040N06N3GXKSA1
  仓库库存编号：IPP040N06N3GXKSA1-ND
  别名：IPP040N06N3 G
  IPP040N06N3 G-ND
  IPP040N06N3G
  SP000680788
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 11000pF @ 30V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 90A
  详细描述：通孔 N 沟道 90A（Tc） 188W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI040N06N3GXKSA1
  仓库库存编号：IPI040N06N3GXKSA1-ND
  别名：SP000680656
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 11000pF @ 30V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 90A（Tc） 188W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB037N06N3 G
  仓库库存编号：IPB037N06N3 GCT-ND
  别名：IPB037N06N3 GCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 11000pF @ 30V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 90A TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 90A（Tc） 188W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI040N06N3GHKSA1
  仓库库存编号：IPI040N06N3GHKSA1-ND
  别名：IPI040N06N3 G
  IPI040N06N3 G-ND
  SP000398038
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 11000pF @ 30V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 100A TO263-7
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 100A（Tc） 167W（Tc） PG-TO263-7
  
  型号：IPB034N06N3GATMA1
  仓库库存编号：IPB034N06N3GATMA1CT-ND
  别名：IPB034N06N3 GCT
  IPB034N06N3 GCT-ND
  IPB034N06N3G
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 11000pF @ 30V,
• 无铅
• 搜索