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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V 6A 3TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Ta） 83W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD06N80C3ATMA1
  仓库库存编号：SPD06N80C3ATMA1CT-ND
  别名：SPD06N80C3ATMA1CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 785pF @ 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V 6A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 6A（Tc） 83W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：SPP06N80C3
  仓库库存编号：SPP06N80C3IN-ND
  别名：SP000013366
  SP0000683154
  SP000683154
  SPP06N80C3IN
  SPP06N80C3X
  SPP06N80C3XK
  SPP06N80C3XKSA1
  SPP06N80C3XTIN
  SPP06N80C3XTIN-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 785pF @ 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V TO-220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 5.7A（Tc） 32W（Tc） PG-TO220-FP
  
  型号：IPA80R1K0CEXKSA2
  仓库库存编号：IPA80R1K0CEXKSA2-ND
  别名：SP001313392
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 785pF @ 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V 5.7A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5.7A（Tc） 83W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD80R1K0CEATMA1
  仓库库存编号：IPD80R1K0CEATMA1CT-ND
  别名：IPD80R1K0CEATMA1CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 785pF @ 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V 6A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 6A（Tc） 39W（Tc） PG-TO220-FP
  
  型号：SPA06N80C3
  仓库库存编号：SPA06N80C3IN-ND
  别名：SP000216302
  SPA06N80C3IN
  SPA06N80C3X
  SPA06N80C3XK
  SPA06N80C3XKSA1
  SPA06N80C3XTIN
  SPA06N80C3XTIN-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 785pF @ 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V TO251-3
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 5.7A（Tc） 83W（Tc） PG-TO251
  
  型号：IPU80R1K0CEAKMA1
  仓库库存编号：IPU80R1K0CEAKMA1-ND
  别名：SP001593928
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 785pF @ 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V 6A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 800V 6A（Ta） 83W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD06N80C3BTMA1
  仓库库存编号：SPD06N80C3BTMA1CT-ND
  别名：SPD06N80C3INCT
  SPD06N80C3INCT-ND
  SPD06N80C3XTINCT
  SPD06N80C3XTINCT-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 785pF @ 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V 5.7A TO251-3
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 5.7A（Tc） 83W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPU80R1K0CEBKMA1
  仓库库存编号：IPU80R1K0CEBKMA1-ND
  别名：SP001100624
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 785pF @ 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V 5.7A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 800V 5.7A（Tc） 83W（Tc） TO-252-3
  
  型号：IPD80R1K0CEBTMA1
  仓库库存编号：IPD80R1K0CEBTMA1CT-ND
  别名：IPD80R1K0CEBTMA1CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 785pF @ 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V TO-220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 3.6A（Tc） 32W（Tc） PG-TO220 整包
  
  型号：IPA80R1K0CEXKSA1
  仓库库存编号：IPA80R1K0CEXKSA1-ND
  别名：SP001271058
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 785pF @ 100V,
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