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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 90A TO252-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 90A（Tc） 137W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD90P03P4L04ATMA1
  仓库库存编号：IPD90P03P4L04ATMA1CT-ND
  别名：IPD90P03P4L-04INCT
  IPD90P03P4L-04INCT-ND
  IPD90P03P4L04ATMA1CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 11300pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 80A TO220-3
  详细描述：通孔 P 沟道 80A（Tc） 137W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP80P03P4L04AKSA1
  仓库库存编号：IPP80P03P4L04AKSA1-ND
  别名：IPP80P03P4L-04
  IPP80P03P4L-04-ND
  SP000396390
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 11300pF @ 25V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 40V 110A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 110A（Tc） 15W（Ta），375W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：SUM110P04-05-E3
  仓库库存编号：SUM110P04-05-E3CT-ND
  别名：SUM110P04-05-E3CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 11300pF @ 25V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 650V 100A PLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 1040W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXFX100N65X2
  仓库库存编号：IXFX100N65X2-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 11300pF @ 25V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 42A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 42A（Tc） 480W（Tc） ISOTOP?
  
  型号：APT39F60J
  仓库库存编号：APT39F60J-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 11300pF @ 25V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 650V 100A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 1040W（Tc） TO-264
  
  型号：IXFK100N65X2
  仓库库存编号：IXFK100N65X2-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 11300pF @ 25V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 300V 86A TO268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 86A（Tc） 860W（Tc） TO-268
  
  型号：IXFT86N30T
  仓库库存编号：IXFT86N30T-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 11300pF @ 25V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 300V 86A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 86A（Tc） 860W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH86N30T
  仓库库存编号：IXFH86N30T-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 11300pF @ 25V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 250V 120A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 250V 120A（Tc） 890W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH120N25T
  仓库库存编号：IXFH120N25T-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 11300pF @ 25V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 56A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 60A（Tc） 1040W（Tc） TO-264
  
  型号：APT56M60L
  仓库库存编号：APT56M60L-ND
  别名：APT56M60LMI
  APT56M60LMI-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 11300pF @ 25V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 56A T-MAX
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 60A（Tc） 1040W（Tc） TO-247 [B]
  
  型号：APT56M60B2
  仓库库存编号：APT56M60B2-ND
  别名：APT56M60B2MP
  APT56M60B2MP-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 11300pF @ 25V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 60A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 60A（Tc） 1040W（Tc） TO-264 [L]
  
  型号：APT56F60L
  仓库库存编号：APT56F60L-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 11300pF @ 25V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 60A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 60A（Tc） 1040W（Tc） T-MAX? [B2]
  
  型号：APT56F60B2
  仓库库存编号：APT56F60B2-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 11300pF @ 25V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 42A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 600V 42A（Tc） 480W（Tc） ISOTOP?
  
  型号：APT39M60J
  仓库库存编号：APT39M60J-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 11300pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 80A TO263-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 80A（Tc） 137W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB80P03P4L04ATMA1
  仓库库存编号：IPB80P03P4L04ATMA1TR-ND
  别名：IPB80P03P4L-04
  IPB80P03P4L-04-ND
  SP000396284
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 11300pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 80A TO262-3
  详细描述：通孔 P 沟道 30V 80A（Tc） 137W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI80P03P4L04AKSA1
  仓库库存编号：IPI80P03P4L04AKSA1-ND
  别名：IPI80P03P4L-04
  IPI80P03P4L-04-ND
  SP000396318
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 11300pF @ 25V,
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