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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 9A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Tc） 83W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD60R385CPATMA1
  仓库库存编号：IPD60R385CPATMA1CT-ND
  别名：IPD60R385CPATMA1CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 790pF @ 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 9A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 9A（Tc） 31W（Tc） PG-TO-220-FP
  
  型号：IPA60R385CPXKSA1
  仓库库存编号：IPA60R385CPXKSA1-ND
  别名：IPA60R385CP
  IPA60R385CP-ND
  SP000089316
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 790pF @ 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 9A 4VSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Tc） 83W（Tc） PG-VSON-4
  
  型号：IPL60R385CP
  仓库库存编号：IPL60R385CPCT-ND
  别名：IPL60R385CPCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 790pF @ 100V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 10A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXKP10N60C5
  仓库库存编号：IXKP10N60C5-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 790pF @ 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 9A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 9A（Tc） 83W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB60R385CP
  仓库库存编号：IPB60R385CPCT-ND
  别名：IPB60R385CPCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 790pF @ 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 9A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 9A（Tc） 83W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI60R385CPXKSA1
  仓库库存编号：IPI60R385CPXKSA1-ND
  别名：IPI60R385CP
  IPI60R385CP-ND
  IPI60R385CPAKSA1
  IPI60R385CPX
  IPI60R385CPXK
  SP000103250
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 790pF @ 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 9A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 9A（Tc） 83W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP60R385CPXKSA1
  仓库库存编号：IPP60R385CPXKSA1-ND
  别名：IPP60R385CP
  IPP60R385CP-ND
  IPP60R385CPAKSA1
  IPP60R385CPX
  IPP60R385CPXK
  SP000082281
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 790pF @ 100V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 5.4A TO220ABFP
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 5.4A（Tc） TO-220ABFP
  
  型号：IXKP10N60C5M
  仓库库存编号：IXKP10N60C5M-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 790pF @ 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 9A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 9A（Tc） 83W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD60R385CPBTMA1
  仓库库存编号：IPD60R385CPBTMA1CT-ND
  别名：IPD60R385CPINCT
  IPD60R385CPINCT-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 790pF @ 100V,
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