产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3400pF @ 25V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 74A TO-220AB
详细描述:通孔 P 沟道 74A(Tc) 200W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF4905PBF
仓库库存编号:
IRF4905PBF-ND
别名:*IRF4905PBF
94-2518PBF
94-2518PBF-ND
SP001571330
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3400pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 500V 8A TO-247
详细描述:通孔 P 沟道 8A(Tc) 180W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH8P50
仓库库存编号:
IXTH8P50-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3400pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 500V 7A TO-247AD
详细描述:通孔 P 沟道 7A(Tc) 180W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH7P50
仓库库存编号:
IXTH7P50-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3400pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 74A TO220AB
详细描述:通孔 P 沟道 74A(Tc) 200W(Tc) TO-220AB
型号:
AUIRF4905
仓库库存编号:
AUIRF4905-ND
别名:SP001519228
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3400pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 23A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 23A(Tc) 280W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFP360LCPBF
仓库库存编号:
IRFP360LCPBF-ND
别名:*IRFP360LCPBF
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3400pF @ 25V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 85A POWERFLAT5X6
详细描述:表面贴装 N 沟道 85A(Tc) 80W(Tc) PowerFlat?(6x5)
型号:
STL85N6F3
仓库库存编号:
497-10882-1-ND
别名:497-10882-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3400pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 36A SO8
详细描述:表面贴装 P 沟道 36A(Tc) 68W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SQJ457EP-T1_GE3
仓库库存编号:
SQJ457EP-T1_GE3CT-ND
别名:SQJ457EP-T1_GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3400pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 500V 8A TO-268
详细描述:表面贴装 P 沟道 8A(Tc) 180W(Tc) TO-268
型号:
IXTT8P50
仓库库存编号:
IXTT8P50-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3400pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1200V 12A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 1200V 12A(Tc) 500W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH12N120
仓库库存编号:
IXFH12N120-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3400pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 80A(Tc) 250W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB80N06S207ATMA4
仓库库存编号:
IPB80N06S207ATMA4-ND
别名:SP001067870
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3400pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 55V 80A(Tc) 250W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP80N06S207AKSA4
仓库库存编号:
IPP80N06S207AKSA4-ND
别名:SP001067876
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3400pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 55V 80A(Tc) 250W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
IPI80N06S207AKSA2
仓库库存编号:
IPI80N06S207AKSA2-ND
别名:SP001067874
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3400pF @ 25V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 14.6A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 500V 14.6A(Tc) 190W(Tc) TO-247-3
型号:
STW15NB50
仓库库存编号:
497-2664-5-ND
别名:497-2664-5
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3400pF @ 25V,
含铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 200V 50A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 200V 50A(Tc) 280W(Tc) TO-247-3
型号:
STW50NB20
仓库库存编号:
497-2670-5-ND
别名:497-2670-5
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3400pF @ 25V,
含铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 10.5A ISOWAT218
详细描述:通孔 N 沟道 500V 10.5A(Tc) 80W(Tc) ISOWATT-218
型号:
STH15NB50FI
仓库库存编号:
497-2783-5-ND
别名:497-2783-5
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3400pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 23A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 400V 23A(Tc) 280W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFP360LC
仓库库存编号:
IRFP360LC-ND
别名:*IRFP360LC
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3400pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 24A SUPER-220
详细描述:通孔 N 沟道 500V 24A(Tc) 340W(Tc) SUPER-220?(TO-273AA)
型号:
IRFBA22N50APBF
仓库库存编号:
IRFBA22N50APBF-ND
别名:*IRFBA22N50APBF
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3400pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1200V 12A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 1200V 12A(Tc) 500W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH12N120
仓库库存编号:
IXTH12N120-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3400pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 21A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 250V 21A(Tc) 50W(Tc) TO-220F
型号:
IRFS654B_FP001
仓库库存编号:
IRFS654B_FP001-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3400pF @ 25V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 64A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 64A(Tc) 200W(Tc) D2PAK
型号:
BUK7619-100B,118
仓库库存编号:
568-5853-1-ND
别名:568-5853-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3400pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 74A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 55V 74A(Tc) 3.8W(Ta),200W(Tc) D2PAK
型号:
IRF4905STRR
仓库库存编号:
IRF4905STRR-ND
别名:SP001561660
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3400pF @ 25V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 40A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 75V 40A(Tc) 48W(Tc) TO-220AB 整包
型号:
IRFI2807
仓库库存编号:
IRFI2807-ND
别名:*IRFI2807
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3400pF @ 25V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 41A TO-220FP
详细描述:通孔 P 沟道 55V 41A(Tc) 63W(Tc) TO-220AB 整包
型号:
IRFI4905
仓库库存编号:
IRFI4905-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3400pF @ 25V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 80A(Tc) 250W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB80N06S207ATMA1
仓库库存编号:
IPB80N06S207ATMA1TR-ND
别名:IPB80N06S2-07
IPB80N06S2-07-ND
SP000218818
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3400pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 55V 80A(Tc) 250W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI80N06S207AKSA1
仓库库存编号:
IPI80N06S207AKSA1-ND
别名:IPI80N06S2-07
IPI80N06S2-07-ND
SP000218817
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3400pF @ 25V,
无铅
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