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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 100V 40A TO-220AB
  详细描述：通孔 P 沟道 40A（Tc） 200W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF5210PBF
  仓库库存编号：IRF5210PBF-ND
  别名：*IRF5210PBF
  SP001559642
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2700pF @ 25V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 110A SO-8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta），111A（Tc） 3.1W（Ta），96W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NTMFS5832NLT1G
  仓库库存编号：NTMFS5832NLT1GOSCT-ND
  别名：NTMFS5832NLT1GOSCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2700pF @ 25V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 250V 23A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 23A（Tc） 190W（Tc） TO-247-3
  
  型号：IRFP254PBF
  仓库库存编号：IRFP254PBF-ND
  别名：*IRFP254PBF
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2700pF @ 25V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V 60A SO8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 48W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SQJ860EP-T1_GE3
  仓库库存编号：SQJ860EP-T1_GE3CT-ND
  别名：SQJ860EP-T1_GE3CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2700pF @ 25V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 900V 8.6A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 8.6A（Tc） 240W（Tc） TO-3PN
  
  型号：FQA9N90_F109
  仓库库存编号：FQA9N90_F109-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2700pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  N-CHANNEL_100+
  详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Tc） 71W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD35N12S3L24ATMA1
  仓库库存编号：IPD35N12S3L24ATMA1CT-ND
  别名：IPD35N12S3L24ATMA1CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2700pF @ 25V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 30V 90A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 90A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP90NF03L
  仓库库存编号：497-7535-5-ND
  别名：497-7535-5
  STP90NF03L-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2700pF @ 25V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 11A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 180W（Tc） TO-247-3
  
  型号：IRFPC50PBF
  仓库库存编号：IRFPC50PBF-ND
  别名：*IRFPC50PBF
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2700pF @ 25V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1KV 12A TO268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 300W（Tc） TO-268（IXFT）
  
  型号：IXFT12N100F
  仓库库存编号：IXFT12N100F-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2700pF @ 25V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 60V 80A H2PAK-2
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 158W（Tc） H2Pak-2
  
  型号：STH140N6F7-2
  仓库库存编号：497-16314-1-ND
  别名：497-16314-1
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2700pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 35A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Tc） 71W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD35N10S3L26ATMA1
  仓库库存编号：IPD35N10S3L26ATMA1CT-ND
  别名：IPD35N10S3L26ATMA1CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2700pF @ 25V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 60V 145A 8PWRFLAT
  详细描述：表面贴装 N 沟道 145A（Tc） 4.8W（Ta）, 125W（Tc） PowerFlat?（5x6）
  
  型号：STL140N6F7
  仓库库存编号：497-15911-1-ND
  别名：497-15911-1
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2700pF @ 25V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 120A SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 21A（Ta） 3.7W（Ta），127W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NVMFS5832NLT3G
  仓库库存编号：NVMFS5832NLT3G-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2700pF @ 25V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 120A SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 21A（Ta） 3.7W（Ta），127W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NVMFS5832NLWFT3G
  仓库库存编号：NVMFS5832NLWFT3G-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2700pF @ 25V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 120A SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 21A（Ta） 3.7W（Ta），127W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NVMFS5832NLT1G
  仓库库存编号：NVMFS5832NLT1G-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2700pF @ 25V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 120A SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 21A（Ta） 3.7W（Ta），127W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NVMFS5832NLWFT1G
  仓库库存编号：NVMFS5832NLWFT1G-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2700pF @ 25V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1KV 9.5A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 1000V 9.5A（Tc） 200W（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXFR14N100Q2
  仓库库存编号：IXFR14N100Q2-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2700pF @ 25V,
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  MOSFET N-CH TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 35A（Tc） 71W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB35N10S3L26ATMA1
  仓库库存编号：IPB35N10S3L26ATMA1-ND
  别名：SP000776044
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2700pF @ 25V,
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  MOSFET N-CH 33V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 33V 80A（Tc） 300W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB130NS04ZBT4
  仓库库存编号：STB130NS04ZBT4-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2700pF @ 25V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 11A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 11A（Tc） 180W（Tc） TO-247-3
  
  型号：IRFPC50
  仓库库存编号：IRFPC50-ND
  别名：*IRFPC50
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2700pF @ 25V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 250V 23A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 250V 23A（Tc） 190W（Tc） TO-247-3
  
  型号：IRFP254
  仓库库存编号：IRFP254-ND
  别名：*IRFP254
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2700pF @ 25V,
• 含铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 450V 14A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 450V 14A（Tc） 190W（Tc） TO-247-3
  
  型号：IRFP354
  仓库库存编号：IRFP354-ND
  别名：*IRFP354
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2700pF @ 25V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 17A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 17A（Tc） 340W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFB17N60K
  仓库库存编号：IRFB17N60K-ND
  别名：*IRFB17N60K
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2700pF @ 25V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 450V 14A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 450V 14A（Tc） 190W（Tc） TO-247-3
  
  型号：IRFP354PBF
  仓库库存编号：IRFP354PBF-ND
  别名：*IRFP354PBF
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2700pF @ 25V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 17A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 17A（Tc） 340W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFB17N60KPBF
  仓库库存编号：IRFB17N60KPBF-ND
  别名：*IRFB17N60KPBF
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2700pF @ 25V,
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