产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 840pF @ 10V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 20V 6A SOT23F
详细描述:表面贴装 P 沟道 6A(Ta) 1W(Ta) SOT-23F
型号:
SSM3J328R,LF
仓库库存编号:
SSM3J328RLFCT-ND
别名:SSM3J328RLF(ACT
SSM3J328RLF(ACT-ND
SSM3J328RLF(TCT
SSM3J328RLF(TCT-ND
SSM3J328RLFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 840pF @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 20V 5.5A
详细描述:表面贴装 P 沟道 5.5A(Ta) 500mW(Ta) UFM
型号:
SSM3J133TU,LF
仓库库存编号:
SSM3J133TULFCT-ND
别名:SSM3J133TULFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 840pF @ 10V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 3A TSMT3
详细描述:表面贴装 P 沟道 3A(Ta) 1W(Ta) TSMT3
型号:
RTR030P02TL
仓库库存编号:
RTR030P02TLCT-ND
别名:RTR030P02TLCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 840pF @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
SMALL-SIGNAL PCH MOSFET UMOSVI
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 6A(Ta) 1.5W(Ta)
型号:
SSM6J801R,LF
仓库库存编号:
SSM6J801RLFCT-ND
别名:SSM6J801RLFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 840pF @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 7.4A SOT23-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 7.4A(Tc) 5W(Tc) 6-TSOP
型号:
SQ3425EV-T1_GE3
仓库库存编号:
SQ3425EV-T1_GE3CT-ND
别名:SQ3425EV-T1_GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 840pF @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P CH 20V 6A 2-2AA1A
详细描述:表面贴装 P 沟道 6A(Ta) 1W(Ta) 6-UDFNB(2x2)
型号:
SSM6J503NU,LF(T
仓库库存编号:
SSM6J503NULF(TCT-ND
别名:SSM6J503NULF(TCT
SSM6J503NULFCT
SSM6J503NULFCT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 840pF @ 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 9A 6DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 9A(Ta) 1.7W(Ta),12.5W(Tc) 6-DFN2020MD(2x2)
型号:
PMPB11EN,115
仓库库存编号:
1727-1244-1-ND
别名:1727-1244-1
568-10450-1
568-10450-1-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 840pF @ 10V,
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