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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 37.9A TO220-FP
  详细描述：通孔 N 沟道 37.9A（Tc） 35W（Tc） PG-TO-220-FP
  
  型号：IPA60R099C6
  仓库库存编号：IPA60R099C6-ND
  别名：IPA60R099C6XKSA1
  SP000658000
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2660pF @ 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 37.9A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 37.9A（Tc） 278W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP60R099C6
  仓库库存编号：IPP60R099C6-ND
  别名：IPP60R099C6XKSA1
  SP000687556
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2660pF @ 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 37.9A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 37.9A（Tc） 278W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW60R099C6
  仓库库存编号：IPW60R099C6-ND
  别名：IPW60R099C6FKSA1
  SP000641908
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2660pF @ 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 219W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP60R125P6XKSA1
  仓库库存编号：IPP60R125P6XKSA1-ND
  别名：SP001114648
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2660pF @ 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V TO247-3
  详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 219W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW60R125P6XKSA1
  仓库库存编号：IPW60R125P6XKSA1-ND
  别名：SP001114656
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2660pF @ 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 37.9A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 37.9A（Tc） 278W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB60R099C6
  仓库库存编号：IPB60R099C6CT-ND
  别名：IPB60R099C6CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2660pF @ 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V TO220FP-3
  详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 34W（Tc） PG-TO-220-FP
  
  型号：IPA60R125P6XKSA1
  仓库库存编号：IPA60R125P6XKSA1-ND
  别名：SP001114652
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2660pF @ 100V,
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