产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4100pF @ 300V,
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
>
晶体管 - FET,MOSFET - 单
筛选品牌
Toshiba Semiconductor and Storage (10)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 600V 38.8A T0247
详细描述:通孔 N 沟道 38.8A(Ta) 270W(Tc) TO-247
型号:
TK39N60W5,S1VF
仓库库存编号:
TK39N60W5S1VF-ND
别名:TK39N60W5,S1VF(S
TK39N60W5S1VF
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4100pF @ 300V,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 600V 38.8A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 38.8A(Ta) 270W(Tc) TO-247
型号:
TK39N60X,S1F
仓库库存编号:
TK39N60XS1F-ND
别名:TK39N60X,S1F(S
TK39N60XS1F
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4100pF @ 300V,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 600V 39A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 38.8A(Ta) 50W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK39A60W,S4VX
仓库库存编号:
TK39A60WS4VX-ND
别名:TK39A60W,S4VX(M
TK39A60WS4VX
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4100pF @ 300V,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 600V 38.8A TO-3P(N)
详细描述:通孔 N 沟道 38.8A(Ta) 270W(Tc) TO-3P(N)
型号:
TK39J60W5,S1VQ
仓库库存编号:
TK39J60W5S1VQ-ND
别名:TK39J60W5,S1VQ(O
TK39J60W5S1VQ
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4100pF @ 300V,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 650V 35A TO220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 35A(Ta) 50W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK35A65W5,S5X
仓库库存编号:
TK35A65W5S5X-ND
别名:TK35A65W5,S5X(M
TK35A65W5S5X
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4100pF @ 300V,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 650V 35A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 35A(Ta) 270W(Tc) TO-247
型号:
TK35N65W,S1F
仓库库存编号:
TK35N65WS1F-ND
别名:TK35N65W,S1F(S
TK35N65W,S1F-ND
TK35N65WS1F
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4100pF @ 300V,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 600V 38.8A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 38.8A(Ta) 270W(Tc) TO-247
型号:
TK39N60W,S1VF
仓库库存编号:
TK39N60WS1VF-ND
别名:TK39N60W,S1VF(S
TK39N60WS1VF
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4100pF @ 300V,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 650V 35A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 35A(Ta) 50W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK35A65W,S5X
仓库库存编号:
TK35A65WS5X-ND
别名:TK35A65W,S5X(M
TK35A65W,S5X-ND
TK35A65WS5X
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4100pF @ 300V,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 600V 38.8A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 38.8A(Ta) 270W(Tc) TO-3P(N)
型号:
TK39J60W,S1VQ
仓库库存编号:
TK39J60WS1VQ-ND
别名:TK39J60W,S1VQ(O
TK39J60WS1VQ
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4100pF @ 300V,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 650V 35A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 650V 35A(Ta) 270W(Tc) TO-247
型号:
TK35N65W5,S1F
仓库库存编号:
TK35N65W5S1F-ND
别名:TK35N65W5,S1F(S
TK35N65W5,S1F-ND
TK35N65W5S1F
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4100pF @ 300V,
无铅
搜索
1
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号