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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 60A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 60A（Tc） 431W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW60R045CP
  仓库库存编号：IPW60R045CPIN-ND
  别名：IPW60R045CP-ND
  IPW60R045CPFKSA1
  IPW60R045CPIN
  IPW60R045CPXK
  IPW60R045CSX
  SP000067149
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 6800pF @ 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 900V 36A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 36A（Tc） 417W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW90R120C3
  仓库库存编号：IPW90R120C3-ND
  别名：IPW90R120C3FKSA1
  IPW90R120C3XK
  Q4173182
  SP000413750
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 6800pF @ 100V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 70A TO247AD
  详细描述：通孔 N 沟道 70A（Tc） TO-247AD（IXKH）
  
  型号：IXKH70N60C5
  仓库库存编号：IXKH70N60C5-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 6800pF @ 100V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 47A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 47A（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXKR47N60C5
  仓库库存编号：IXKR47N60C5-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 6800pF @ 100V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 47A I4-PAC-5
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 47A（Tc） ISOPLUS i4-PAC?
  
  型号：FDM47-06KC5
  仓库库存编号：FDM47-06KC5-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 6800pF @ 100V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 47A I4-PAC-5
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 47A（Tc） ISOPLUS i4-PAC?
  
  型号：FMD47-06KC5
  仓库库存编号：FMD47-06KC5-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 6800pF @ 100V,
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  MOSFET N-CH 600V 50A SMPD
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 50A（Tc） ISOPLUS-SMPD?.B
  
  型号：MKE38RK600DFELB-TRR
  仓库库存编号：MKE38RK600DFELB-TRR-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 6800pF @ 100V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 50A SMPD
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 50A（Tc） ISOPLUS-SMPD?.B
  
  型号：MKE38RK600DFELB
  仓库库存编号：MKE38RK600DFELB-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 6800pF @ 100V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 900V 33A SOT227
  详细描述：底座安装 N 沟道 900V 33A（Tc） 290W（Tc） SOT-227
  
  型号：APT33N90JCU2
  仓库库存编号：APT33N90JCU2-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 6800pF @ 100V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 900V 33A SOT227
  详细描述：底座安装 N 沟道 900V 33A（Tc） 290W（Tc） SOT-227
  
  型号：APT33N90JCU3
  仓库库存编号：APT33N90JCU3-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 6800pF @ 100V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 900V 33A SOT227
  详细描述：底座安装 N 沟道 900V 33A（Tc） 290W（Tc） SOT-227
  
  型号：APT33N90JCCU2
  仓库库存编号：APT33N90JCCU2-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 6800pF @ 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 60A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 60A（Tc） 431W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW60R045CPAFKSA1
  仓库库存编号：IPW60R045CPAFKSA1-ND
  别名：SP000539772
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 6800pF @ 100V,
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