以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 40A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 42W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD090N03LGATMA1
  仓库库存编号：IPD090N03LGATMA1CT-ND
  别名：IPD090N03LGATMA1CT
  IPD090N03LGINCT
  IPD090N03LGINCT-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1600pF @ 15V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 14A 8TDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Ta），50A（Tc） 2.5W（Ta），30W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC079N03LSCGATMA1
  仓库库存编号：BSC079N03LSCGATMA1CT-ND
  别名：BSC079N03LSCGATMA1CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1600pF @ 15V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 8.7A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8.7A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7401TRPBF
  仓库库存编号：IRF7401PBFCT-ND
  别名：*IRF7401TRPBF
  IRF7401PBFCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1600pF @ 15V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 40A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 40A（Tc） 42W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD090N03LGBTMA1
  仓库库存编号：IPD090N03LGBTMA1-ND
  别名：SP000236950
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1600pF @ 15V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 26A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 26A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta）, 43W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC0502NSIATMA1
  仓库库存编号：BSC0502NSIATMA1-ND
  别名：SP001288142
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1600pF @ 15V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 22A 8SON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 22A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta）, 43W（Tc） PG-TSDSON-8-FL
  
  型号：BSZ0502NSIATMA1
  仓库库存编号：BSZ0502NSIATMA1-ND
  别名：SP001288154
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1600pF @ 15V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 50A 10-POLARPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 50A（Tc） 5.2W（Ta），104W（Tc） 10-PolarPAK?（S）
  
  型号：SIE800DF-T1-E3
  仓库库存编号：SIE800DF-T1-E3CT-ND
  别名：SIE800DF-T1-E3CT
  SIE800DFT1E3
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1600pF @ 15V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 30V 85A 8ULTRASO
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 15A（Ta），85A（Tc） 2.08W（Ta），100W（Tc） UltraSO-8?
  
  型号：AOL1418
  仓库库存编号：785-1121-1-ND
  别名：785-1121-1
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1600pF @ 15V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 35A（Tc） 3.7W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7718DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7718DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7718DN-T1-GE3CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1600pF @ 15V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 35A（Tc） 5W（Ta），27.7W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7784DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7784DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7784DP-T1-GE3CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1600pF @ 15V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 50A POLARPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 50A（Tc） 5.2W（Ta），104W（Tc） 10-PolarPAK?（S）
  
  型号：SIE800DF-T1-GE3
  仓库库存编号：SIE800DF-T1-GE3-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1600pF @ 15V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 35A（Tc） 5W（Ta），27.7W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIJ484DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIJ484DP-T1-GE3-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1600pF @ 15V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 30V 13A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 13A（Ta） 3.1W（Ta） 8-SOIC
  
  型号：AO4720
  仓库库存编号：785-1296-1-ND
  别名：785-1296-1
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1600pF @ 15V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 50A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 50A（Tc） 58W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD09N03LB G
  仓库库存编号：IPD09N03LB G-ND
  别名：IPD09N03LBGXT
  SP000016412
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1600pF @ 15V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 50A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 50A（Tc） 58W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPS09N03LB G
  仓库库存编号：IPS09N03LB G-ND
  别名：IPS09N03LBGX
  IPS09N03LBGXK
  SP000220142
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1600pF @ 15V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 50A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 50A（Tc） 58W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPU09N03LB G
  仓库库存编号：IPU09N03LB G-ND
  别名：IPU09N03LBGX
  SP000209115
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1600pF @ 15V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 35A TO-220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 35A（Tc） 42W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP096N03L G
  仓库库存编号：IPP096N03LGIN-ND
  别名：IPP096N03LGIN
  IPP096N03LGXK
  SP000254737
  SP000680854
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1600pF @ 15V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 40A TO251-3
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 40A（Tc） 42W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPS090N03LGAKMA1
  仓库库存编号：IPS090N03LGAKMA1-ND
  别名：IPS090N03L G
  IPS090N03LGIN
  IPS090N03LGIN-ND
  IPS090N03LGXK
  SP000788216
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1600pF @ 15V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 40A TO-251-3
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 40A（Tc） 42W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPU090N03L G
  仓库库存编号：IPU090N03LGIN-ND
  别名：IPU090N03LGIN
  IPU090N03LGXK
  SP000260751
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1600pF @ 15V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 35A TO-263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 35A（Tc） 42W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB096N03LGATMA1
  仓库库存编号：IPB096N03LGATMA1CT-ND
  别名：IPB096N03LGINCT
  IPB096N03LGINCT-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1600pF @ 15V,
• 无铅
• 搜索