产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 435pF @ 10V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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Nexperia USA Inc. (2)
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 3A MICROFET6
详细描述:表面贴装 P 沟道 3A(Ta) 1.4W(Ta) 6-MicroFET(2x2)
型号:
FDFMA2P853
仓库库存编号:
FDFMA2P853FSCT-ND
别名:FDFMA2P853CT
FDFMA2P853CT-ND
FDFMA2P853FSCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 435pF @ 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 7.2A 6DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.2A(Ta) 1.7W(Ta),12.5W(Tc) 6-DFN2020MD(2x2)
型号:
PMPB20EN,115
仓库库存编号:
1727-1247-1-ND
别名:1727-1247-1
568-10455-1
568-10455-1-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 435pF @ 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 7.2A 6DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.2A(Ta) 1.7W(Ta),12.5W(Tc) 6-DFN2020MD(2x2)
型号:
PMPB20ENZ
仓库库存编号:
PMPB20ENZ-ND
别名:934066626184
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 435pF @ 10V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 3A MICROFET2X2
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 3A(Ta) 1.4W(Ta) 6-MicroFET(2x2)
型号:
FDFMA2P857
仓库库存编号:
FDFMA2P857CT-ND
别名:FDFMA2P857CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 435pF @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 3A MICROFET
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 3A(Ta) 1.4W(Ta) MicroFET 2x2 薄型
型号:
FDFMA2P859T
仓库库存编号:
FDFMA2P859TCT-ND
别名:FDFMA2P859TCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 435pF @ 10V,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 3A(Tc) 1.5W(Ta) 6-DSBGA(1x1.5)
型号:
CSD25303W1015
仓库库存编号:
296-28317-1-ND
别名:296-28317-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 435pF @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 3A 6-MICROFET
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 3A(Ta) 1.4W(Ta) MicroFET 2x2 薄型
型号:
FDFMA2P853T
仓库库存编号:
FDFMA2P853TCT-ND
别名:FDFMA2P853TCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 435pF @ 10V,
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