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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7.3A（Tc） 63W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD60R600P6ATMA1
  仓库库存编号：IPD60R600P6ATMA1CT-ND
  别名：IPD60R600P6ATMA1CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 557pF @ 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 8THINPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6.7A（Tc） 56.8W（Tc） 8-ThinPak（5x6）
  
  型号：IPL60R650P6SATMA1
  仓库库存编号：IPL60R650P6SATMA1CT-ND
  别名：IPL60R650P6SATMA1CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 557pF @ 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 4.9A TO220-FP
  详细描述：通孔 N 沟道 4.9A（Tc） 28W（Tc） PG-TO-220-FP
  
  型号：IPA60R600P6
  仓库库存编号：IPA60R600P6-ND
  别名：IPA60R600P6XKSA1
  SP001017070
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 557pF @ 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 7.3A（Tc） 63W（Tc） PG-TO263
  
  型号：IPB60R600P6ATMA1
  仓库库存编号：IPB60R600P6ATMA1-ND
  别名：SP001313874
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 557pF @ 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 7.3A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 7.3A（Tc） 63W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP60R600P6XKSA1
  仓库库存编号：IPP60R600P6XKSA1-ND
  别名：IPP60R600P6
  IPP60R600P6-ND
  SP001017054
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 557pF @ 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 7.3A（Tc） 171W（Tc） PG-TO263
  
  型号：IPB65R065C7ATMA1
  仓库库存编号：IPB65R065C7ATMA1-ND
  别名：SP001080110
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 557pF @ 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 7.3A（Tc） 63W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD60R600P6
  仓库库存编号：IPD60R600P6CT-ND
  别名：IPD60R600P6CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 557pF @ 100V,
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