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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11.3A（Tc） 50W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC12DN20NS3 G
  仓库库存编号：BSC12DN20NS3GCT-ND
  别名：BSC12DN20NS3GCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 680pF @ 100V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 7A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Tc） 78W（Tc） D-Pak
  
  型号：SIHD7N60E-GE3
  仓库库存编号：SIHD7N60E-GE3-ND
  别名：SIHD7N60EGE3
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 680pF @ 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TSDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11.3A（Tc） 50W（Tc） PG-TSDSON-8
  
  型号：BSZ12DN20NS3GATMA1
  仓库库存编号：BSZ12DN20NS3GATMA1CT-ND
  别名：BSZ12DN20NS3GCT
  BSZ12DN20NS3GCT-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 680pF @ 100V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 7A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 78W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SIHP7N60E-GE3
  仓库库存编号：SIHP7N60E-GE3-ND
  别名：SIHP7N60EGE3
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 680pF @ 100V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 7A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 31W（Tc） TO-220 整包
  
  型号：SIHF7N60E-E3
  仓库库存编号：SIHF7N60E-E3-ND
  别名：SIHF7N60EE3
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 680pF @ 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 500V 7.1A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 7.1A（Tc） 66W（Tc） PG-TO220FP
  
  型号：IPA50R520CPXKSA1
  仓库库存编号：IPA50R520CPXKSA1-ND
  别名：IPA50R520CP
  IPA50R520CP-ND
  SP000236076
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 680pF @ 100V,
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• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 600V
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 7A（Tc） 78W（Tc） TO-252AA
  
  型号：SIHD7N60ET4-GE3
  仓库库存编号：SIHD7N60ET4-GE3-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 680pF @ 100V,
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• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 600V
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 7A（Tc） 78W（Tc） TO-252AA
  
  型号：SIHD7N60ET5-GE3
  仓库库存编号：SIHD7N60ET5-GE3-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 680pF @ 100V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 7A TO-251
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 7A（Tc） 78W（Tc） I-Pak
  
  型号：SIHU7N60E-GE3
  仓库库存编号：SIHU7N60E-GE3-ND
  别名：SIHU7N60EGE3
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 680pF @ 100V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 7A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 7A（Tc） 78W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
  
  型号：SIHD7N60E-E3
  仓库库存编号：SIHD7N60E-E3-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 680pF @ 100V,
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  MOSFET N-CH 600V 7A TO-251
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 7A（Tc） 78W（Tc） TO-251
  
  型号：SIHU7N60E-E3
  仓库库存编号：SIHU7N60E-E3-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 680pF @ 100V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 7A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 78W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SIHP7N60E-E3
  仓库库存编号：SIHP7N60E-E3-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 680pF @ 100V,
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• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 600V
  详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 31W（Tc） TO-220 整包
  
  型号：SIHF7N60E-GE3
  仓库库存编号：SIHF7N60E-GE3-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 680pF @ 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 550V 7.1A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 550V 7.1A（Tc） 66W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP50R520CPHKSA1
  仓库库存编号：IPP50R520CPHKSA1-ND
  别名：IPP50R520CP
  IPP50R520CP-ND
  SP000236068
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 680pF @ 100V,
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  MOSFET N-CH 500V 7.1A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 7.1A（Tc） 66W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP50R520CPXKSA1
  仓库库存编号：IPP50R520CPXKSA1-ND
  别名：SP000680944
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 680pF @ 100V,
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  MOSFET N-CH 550V 7.1A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 550V 7.1A（Tc） 66W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD50R520CP
  仓库库存编号：IPD50R520CP-ND
  别名：SP000236063
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 680pF @ 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 550V 7.1A TO-251
  详细描述：通孔 N 沟道 550V 7.1A（Tc） 66W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPS50R520CP
  仓库库存编号：IPS50R520CP-ND
  别名：SP000236067
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 680pF @ 100V,
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