产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2950pF @ 25V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 42A(Tc) 140W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR4104TRPBF
仓库库存编号:
IRFR4104PBFCT-ND
别名:*IRFR4104TRPBF
IRFR4104PBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2950pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 20.2A(Tc) 208W(Tc) TO-220
型号:
FCP190N60
仓库库存编号:
FCP190N60-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2950pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CHAN 100V TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 136W(Tc) TO-252
型号:
SQD50N10-8M9L_GE3
仓库库存编号:
SQD50N10-8M9L_GE3CT-ND
别名:SQD50N10-8M9L_GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2950pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V TO-220-3
详细描述:通孔 N 沟道 20.2A(Tc) 39W(Tc) TO-220F-3
型号:
FCPF190N60
仓库库存编号:
FCPF190N60-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2950pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V TO-220-3
详细描述:通孔 N 沟道 20.2A(Tc) 208W(Tc) TO-220
型号:
FCP190N60_GF102
仓库库存编号:
FCP190N60_GF102-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2950pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 20.2A(Tc) 39W(Tc) TO-220F-3
型号:
FCPF190N60_F152
仓库库存编号:
FCPF190N60_F152-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2950pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 150V 22A ISOPLUS247
详细描述:通孔 P 沟道 22A(Tc) 150W(Tc) ISOPLUS247?
型号:
IXTR36P15P
仓库库存编号:
IXTR36P15P-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2950pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 42A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 40V 42A(Tc) 140W(Tc) I-Pak
型号:
AUIRFU4104
仓库库存编号:
AUIRFU4104-ND
别名:SP001518784
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2950pF @ 25V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 20A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 500V 20A(Tc) 290W(Tc) TO-247 [B]
型号:
APT20F50B
仓库库存编号:
APT20F50B-ND
别名:APT20F50BMI
APT20F50BMI-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2950pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 150V 22A ISOPLUS220
详细描述:通孔 P 沟道 150V 22A(Tc) 150W(Tc) ISOPLUS220?
型号:
IXTC36P15P
仓库库存编号:
IXTC36P15P-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2950pF @ 25V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 20A D3PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 20A(Tc) 290W(Tc) D3Pak
型号:
APT20F50S
仓库库存编号:
APT20F50S-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2950pF @ 25V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1KV 10.5A TO247AD
详细描述:通孔 N 沟道 1000V 10.5A(Tc) 310W(Tc) TO-247AD
型号:
APT1001R1BN
仓库库存编号:
APT1001R1BN-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2950pF @ 25V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1KV 11A TO247AD
详细描述:通孔 N 沟道 1000V 11A(Tc) 310W(Tc) TO-247AD
型号:
APT1001RBN
仓库库存编号:
APT1001RBN-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2950pF @ 25V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 23A TO247AD
详细描述:通孔 N 沟道 500V 23A(Tc) 310W(Tc) TO-247AD
型号:
APT5025BN
仓库库存编号:
APT5025BN-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2950pF @ 25V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 18A TO247AD
详细描述:通孔 N 沟道 600V 18A(Tc) 310W(Tc) TO-247AD
型号:
APT6040BN
仓库库存编号:
APT6040BN-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2950pF @ 25V,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 18A TO247AD
详细描述:通孔 N 沟道 600V 18A(Tc) 310W(Tc) TO-247AD
型号:
APT6040BNG
仓库库存编号:
APT6040BNG-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2950pF @ 25V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 13A TO247AD
详细描述:通孔 N 沟道 800V 13A(Tc) 310W(Tc) TO-247AD
型号:
APT8075BN
仓库库存编号:
APT8075BN-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2950pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 42A(Tc) 140W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR4104TR
仓库库存编号:
IRFR4104TR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2950pF @ 25V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 42A(Tc) 140W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR4104TRL
仓库库存编号:
IRFR4104TRL-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2950pF @ 25V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 42A(Tc) 140W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR4104TRR
仓库库存编号:
IRFR4104TRR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2950pF @ 25V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 42A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 40V 42A(Tc) 140W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU4104PBF
仓库库存编号:
IRFU4104PBF-ND
别名:*IRFU4104PBF
SP001578370
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2950pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 42A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 40V 42A(Tc) 140W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU4104-701PBF
仓库库存编号:
IRFU4104-701PBF-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2950pF @ 25V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 42A(Tc) 140W(Tc) D-Pak
型号:
AUIRFR4104
仓库库存编号:
AUIRFR4104-ND
别名:SP001515918
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2950pF @ 25V,
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