以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 90A TO252-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 90A（Tc） 137W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD90P03P404ATMA1
  仓库库存编号：IPD90P03P404ATMA1CT-ND
  别名：IPD90P03P4-04INCT
  IPD90P03P4-04INCT-ND
  IPD90P03P404ATMA1CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 10300pF @ 25V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 40V 90A TO252-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 90A（Tc） 125W（Tc） PG-TO252-3-313
  
  型号：IPD90P04P405ATMA1
  仓库库存编号：IPD90P04P405ATMA1CT-ND
  别名：IPD90P04P405ATMA1CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 10300pF @ 25V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 100V 170A TO-264AA
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 170A（Tc） 560W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK170N10
  仓库库存编号：IXFK170N10-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 10300pF @ 25V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 100V 170A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 100V 170A（Tc） 600W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN170N10
  仓库库存编号：IXFN170N10-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 10300pF @ 25V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH TO263-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 40V 80A（Tc） 125W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB80P04P405ATMA1
  仓库库存编号：IPB80P04P405ATMA1-ND
  别名：SP000652618
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 10300pF @ 25V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 80A TO263-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 80A（Tc） 137W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB80P03P405ATMA1
  仓库库存编号：IPB80P03P405ATMA1TR-ND
  别名：IPB80P03P4-05
  IPB80P03P4-05-ND
  SP000396282
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 10300pF @ 25V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH TO220-3
  详细描述：通孔 P 沟道 30V 80A（Tc） 137W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP80P03P405AKSA1
  仓库库存编号：IPP80P03P405AKSA1-ND
  别名：SP000396388
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 10300pF @ 25V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH TO262-3
  详细描述：通孔 P 沟道 40V 80A（Tc） 125W（Tc） PG-TO262-3-1
  
  型号：IPI80P04P405AKSA1
  仓库库存编号：IPI80P04P405AKSA1-ND
  别名：SP000652620
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 10300pF @ 25V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH TO262-3
  详细描述：通孔 P 沟道 30V 80A（Tc） 137W（Tc） PG-TO262-3-1
  
  型号：IPI80P03P405AKSA1
  仓库库存编号：IPI80P03P405AKSA1-ND
  别名：SP000396316
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 10300pF @ 25V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 100A（Tc） 520W（Tc） T-MAX?
  
  型号：APT10M11B2VFRG
  仓库库存编号：APT10M11B2VFRG-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 10300pF @ 25V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1200V 34A SP4
  详细描述：底座安装 N 沟道 1200V 34A（Tc） 780W（Tc） SP4
  
  型号：APTM120DA29TG
  仓库库存编号：APTM120DA29TG-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 10300pF @ 25V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1200V 34A SP4
  详细描述：底座安装 N 沟道 1200V 34A（Tc） 780W（Tc） SP4
  
  型号：APTM120SK29TG
  仓库库存编号：APTM120SK29TG-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 10300pF @ 25V,
• 无铅
• 搜索