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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 60V 8.8A TO-220
  详细描述：通孔 P 沟道 8.8A（Tc） 42W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：SPP08P06PHXKSA1
  仓库库存编号：SPP08P06PHXKSA1-ND
  别名：SP000446908
  SPP08P06P G
  SPP08P06P G-ND
  SPP08P06P H
  SPP08P06P H-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 420pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 60V 8.83A 3TO252
  详细描述：表面贴装 P 沟道 8.83A（Ta） 42W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD08P06PGBTMA1
  仓库库存编号：SPD08P06PGBTMA1CT-ND
  别名：SPD08P06PGBTMA1CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 420pF @ 25V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 250V 3.1A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3.1A（Tc） 2.5W（Ta），45W（Tc） D-Pak
  
  型号：FQD4P25TM_WS
  仓库库存编号：FQD4P25TM_WSCT-ND
  别名：FQD4P25TM_WSCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 420pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 2.6A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.6A（Ta） 2.8W（Ta） SOT-223
  
  型号：IRFL4315TRPBF
  仓库库存编号：IRFL4315TRPBFCT-ND
  别名：IRFL4315TRPBFCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 420pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 60V 8.8A TO-263
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 8.8A（Ta） 42W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：SPB08P06PGATMA1
  仓库库存编号：SPB08P06PGATMA1TR-ND
  别名：SP000102179
  SPB08P06P G
  SPB08P06P G-ND
  SPB08P06PGINTR
  SPB08P06PGINTR-ND
  SPB08P06PGXT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 420pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 3.2A TO-251
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 3.2A（Tc） 38W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：SPU03N60S5BKMA1
  仓库库存编号：SPU03N60S5BKMA1-ND
  别名：SP000012423
  SPU03N60S5
  SPU03N60S5-ND
  SPU03N60S5IN
  SPU03N60S5IN-ND
  SPU03N60S5X
  SPU03N60S5XK
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 420pF @ 25V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET P-CH 30V 2.4A SOT23-6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 2.4A（Tc） 1.6W（Tc） SOT-23-6
  
  型号：STT3PF30L
  仓库库存编号：497-8046-1-ND
  别名：497-8046-1
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 420pF @ 25V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 250V 3.1A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 250V 3.1A（Tc） 2.5W（Ta），45W（Tc） D-Pak
  
  型号：FQD4P25TF
  仓库库存编号：FQD4P25TF-ND
  别名：Q1585607A
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 420pF @ 25V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 250V 3.1A IPAK
  详细描述：通孔 P 沟道 250V 3.1A（Tc） 2.5W（Ta），45W（Tc） I-Pak
  
  型号：FQU4P25TU
  仓库库存编号：FQU4P25TU-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 420pF @ 25V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 250V 4A TO-220
  详细描述：通孔 P 沟道 250V 4A（Tc） 75W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FQP4P25
  仓库库存编号：FQP4P25-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 420pF @ 25V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 250V 4A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 250V 4A（Tc） 3.13W（Ta），75W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB4P25TM
  仓库库存编号：FQB4P25TM-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 420pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 19A D-PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 19A（Tc） 50W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR2605
  仓库库存编号：IRFR2605-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 420pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 3.2A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 3.2A（Tc） 38W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：SPP03N60S5HKSA1
  仓库库存编号：SPP03N60S5HKSA1-ND
  别名：SPP03N60S5
  SPP03N60S5IN
  SPP03N60S5IN-ND
  SPP03N60S5X
  SPP03N60S5XTIN
  SPP03N60S5XTIN-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 420pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 60V 8.8A TO-220AB
  详细描述：通孔 P 沟道 60V 8.8A（Tc） 42W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：SPP08P06PBKSA1
  仓库库存编号：SPP08P06PBKSA1-ND
  别名：SP000012085
  SPP08P06P
  SPP08P06PIN
  SPP08P06PIN-ND
  SPP08P06PX
  SPP08P06PXK
  SPP08P06PXTIN
  SPP08P06PXTIN-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 420pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 2.6A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 2.6A（Ta） 2.8W（Ta） SOT-223
  
  型号：IRFL4315
  仓库库存编号：IRFL4315-ND
  别名：*IRFL4315
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 420pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 60V 8.83A TO-251
  详细描述：通孔 P 沟道 60V 8.83A（Ta） 42W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：SPU08P06P
  仓库库存编号：SPU08P06PIN-ND
  别名：SP000012086
  SPU08P06PIN
  SPU08P06PX
  SPU08P06PXTIN
  SPU08P06PXTIN-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 420pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 60V 8.8A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 8.8A（Ta） 42W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB08P06P
  仓库库存编号：SPB08P06P-ND
  别名：SP000012508
  SPB08P06PT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 420pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 60V 8.83A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 8.83A（Ta） 42W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD08P06P
  仓库库存编号：SPD08P06P-ND
  别名：SP000077441
  SPD08P06PXT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 420pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 3.2A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 3.2A（Tc） 38W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB03N60S5ATMA1
  仓库库存编号：SPB03N60S5ATMA1CT-ND
  别名：SPB03N60S5INCT
  SPB03N60S5INCT-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 420pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 3.2A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 3.2A（Tc） 38W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD03N60S5BTMA1
  仓库库存编号：SPD03N60S5BTMA1CT-ND
  别名：SPD03N60S5INCT
  SPD03N60S5INCT-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 420pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 60V 8.83A TO-252
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 8.83A（Ta） 42W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD08P06PGBTMA1
  仓库库存编号：SPD08P06PGINCT-ND
  别名：SPD08P06PGINCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 420pF @ 25V,
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