产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 420pF @ 25V,
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晶体管 - FET，MOSFET - 单
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封装/外壳
制造商
安装类型
工作温度
系列
包装
零件状态
供应商器件封装
技术
Vgs（最大值）
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
FET 类型
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
FET 功能
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
功率耗散（最大值）
漏源电压（Vdss）
TO-261-4，TO-261AA(2)
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63(7)
TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB(4)
TO-220-3(4)
SOT-23-6(1)
TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA(3)
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STMicroelectronics(1)
Fairchild/ON Semiconductor(5)
Infineon Technologies(15)
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表面贴装(14)
通孔(7)
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-(2)
-55°C ~ 150°C（TJ）(12)
-55°C ~ 175°C（TJ）(6)
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STripFET?? II(1)
QFET?(5)
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SIPMOS?(8)
HEXFET?(3)
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剪切带（CT） (7)
带卷（TR） (5)
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SOT-223(2)
D-Pak(3)
TO-220-3(1)
SOT-23-6(1)
D2PAK（TO-263AB）(1)
I-Pak(1)
PG-TO252-3(4)
PG-TO263-2(1)
PG-TO263-3-2(2)
PG-TO-220-3(2)
PG-TO220-3-1(1)
PG-TO251-3(2)
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MOSFET（金属氧化物）(21)
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±30V(7)
±20V(11)
±16V(1)
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14nC @ 10V(5)
15nC @ 10V(2)
13nC @ 10V(6)
19nC @ 10V(2)
16nC @ 10V(4)
7nC @ 4.5V(1)
23nC @ 10V(1)
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300 毫欧 @ 6.2A，10V(6)
300 毫欧 @ 10A，6.2V(2)
1.4 欧姆 @ 2A，10V(4)
2.1 欧姆 @ 1.55A，10V(3)
185 毫欧 @ 1.6A，10V(2)
2.1 欧姆 @ 2A，10V(2)
165 毫欧 @ 1.5A，10V(1)
85 毫欧 @ 11A，10V(1)
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10V(16)
4.5V，10V(1)
6.2V(2)
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N 沟道(7)
P 沟道(14)
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2.4A（Tc）(1)
4A（Tc）(2)
2.6A（Ta）(2)
3.1A（Tc）(3)
8.8A（Ta）(2)
8.8A（Tc）(2)
19A（Tc）(1)
8.83A（Ta）(4)
3.2A（Tc）(4)
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420pF @ 25V(21)
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-(21)
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4V @ 250μA(9)
2.5V @ 250μA(1)
5V @ 250μA(7)
5.5V @ 135μA(4)
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75W（Tc）(1)
1.6W（Tc）(1)
38W（Tc）(4)
50W（Tc）(1)
2.5W（Ta），45W（Tc）(3)
42W（Tc）(8)
2.8W（Ta）(2)
3.13W（Ta），75W（Tc）(1)
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150V(2)
30V(1)
60V(8)
250V(5)
600V(4)
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 8.8A TO-220
详细描述：通孔 P 沟道 8.8A（Tc） 42W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
SPP08P06PHXKSA1
仓库库存编号：
SPP08P06PHXKSA1-ND
别名：SP000446908
SPP08P06P G
SPP08P06P G-ND
SPP08P06P H
SPP08P06P H-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 420pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 8.83A 3TO252
详细描述：表面贴装 P 沟道 8.83A（Ta） 42W（Tc） PG-TO252-3
型号：
SPD08P06PGBTMA1
仓库库存编号：
SPD08P06PGBTMA1CT-ND
别名：SPD08P06PGBTMA1CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 420pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 250V 3.1A DPAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 3.1A（Tc） 2.5W（Ta），45W（Tc） D-Pak
型号：
FQD4P25TM_WS
仓库库存编号：
FQD4P25TM_WSCT-ND
别名：FQD4P25TM_WSCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 420pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 2.6A SOT223
详细描述：表面贴装 N 沟道 2.6A（Ta） 2.8W（Ta） SOT-223
型号：
IRFL4315TRPBF
仓库库存编号：
IRFL4315TRPBFCT-ND
别名：IRFL4315TRPBFCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 420pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 8.8A TO-263
详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 8.8A（Ta） 42W（Tc） PG-TO263-2
型号：
SPB08P06PGATMA1
仓库库存编号：
SPB08P06PGATMA1TR-ND
别名：SP000102179
SPB08P06P G
SPB08P06P G-ND
SPB08P06PGINTR
SPB08P06PGINTR-ND
SPB08P06PGXT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 420pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 3.2A TO-251
详细描述：通孔 N 沟道 600V 3.2A（Tc） 38W（Tc） PG-TO251-3
型号：
SPU03N60S5BKMA1
仓库库存编号：
SPU03N60S5BKMA1-ND
别名：SP000012423
SPU03N60S5
SPU03N60S5-ND
SPU03N60S5IN
SPU03N60S5IN-ND
SPU03N60S5X
SPU03N60S5XK
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 420pF @ 25V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET P-CH 30V 2.4A SOT23-6
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 2.4A（Tc） 1.6W（Tc） SOT-23-6
型号：
STT3PF30L
仓库库存编号：
497-8046-1-ND
别名：497-8046-1
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 420pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 250V 3.1A DPAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 250V 3.1A（Tc） 2.5W（Ta），45W（Tc） D-Pak
型号：
FQD4P25TF
仓库库存编号：
FQD4P25TF-ND
别名：Q1585607A
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 420pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 250V 3.1A IPAK
详细描述：通孔 P 沟道 250V 3.1A（Tc） 2.5W（Ta），45W（Tc） I-Pak
型号：
FQU4P25TU
仓库库存编号：
FQU4P25TU-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 420pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 250V 4A TO-220
详细描述：通孔 P 沟道 250V 4A（Tc） 75W（Tc） TO-220-3
型号：
FQP4P25
仓库库存编号：
FQP4P25-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 420pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 250V 4A D2PAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 250V 4A（Tc） 3.13W（Ta），75W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
FQB4P25TM
仓库库存编号：
FQB4P25TM-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 420pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 19A D-PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 19A（Tc） 50W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR2605
仓库库存编号：
IRFR2605-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 420pF @ 25V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 3.2A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 600V 3.2A（Tc） 38W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
SPP03N60S5HKSA1
仓库库存编号：
SPP03N60S5HKSA1-ND
别名：SPP03N60S5
SPP03N60S5IN
SPP03N60S5IN-ND
SPP03N60S5X
SPP03N60S5XTIN
SPP03N60S5XTIN-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 420pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 8.8A TO-220AB
详细描述：通孔 P 沟道 60V 8.8A（Tc） 42W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
SPP08P06PBKSA1
仓库库存编号：
SPP08P06PBKSA1-ND
别名：SP000012085
SPP08P06P
SPP08P06PIN
SPP08P06PIN-ND
SPP08P06PX
SPP08P06PXK
SPP08P06PXTIN
SPP08P06PXTIN-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 420pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 2.6A SOT223
详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 2.6A（Ta） 2.8W（Ta） SOT-223
型号：
IRFL4315
仓库库存编号：
IRFL4315-ND
别名：*IRFL4315
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 420pF @ 25V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 8.83A TO-251
详细描述：通孔 P 沟道 60V 8.83A（Ta） 42W（Tc） PG-TO251-3
型号：
SPU08P06P
仓库库存编号：
SPU08P06PIN-ND
别名：SP000012086
SPU08P06PIN
SPU08P06PX
SPU08P06PXTIN
SPU08P06PXTIN-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 420pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 8.8A D2PAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 8.8A（Ta） 42W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
SPB08P06P
仓库库存编号：
SPB08P06P-ND
别名：SP000012508
SPB08P06PT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 420pF @ 25V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 8.83A DPAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 8.83A（Ta） 42W（Tc） PG-TO252-3
型号：
SPD08P06P
仓库库存编号：
SPD08P06P-ND
别名：SP000077441
SPD08P06PXT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 420pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 3.2A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 3.2A（Tc） 38W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
SPB03N60S5ATMA1
仓库库存编号：
SPB03N60S5ATMA1CT-ND
别名：SPB03N60S5INCT
SPB03N60S5INCT-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 420pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 3.2A TO-252
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 3.2A（Tc） 38W（Tc） PG-TO252-3
型号：
SPD03N60S5BTMA1
仓库库存编号：
SPD03N60S5BTMA1CT-ND
别名：SPD03N60S5INCT
SPD03N60S5INCT-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 420pF @ 25V,
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MOSFET P-CH 60V 8.83A TO-252
详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 8.83A（Ta） 42W（Tc） PG-TO252-3
型号：
SPD08P06PGBTMA1
仓库库存编号：
SPD08P06PGINCT-ND
别名：SPD08P06PGINCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 420pF @ 25V,
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