产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3720pF @ 25V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 140A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 140A(Tc) 200W(Tc) TO-220AB
型号:
IRL3803VPBF
仓库库存编号:
IRL3803VPBF-ND
别名:*IRL3803VPBF
SP001573706
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3720pF @ 25V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 90A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 90A(Tc) 128W(Tc) DPAK
型号:
BUK626R2-40C,118
仓库库存编号:
1727-7149-1-ND
别名:1727-7149-1
568-9626-1
568-9626-1-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3720pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 26A 8PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 26A(Ta),85A(Tc) 3.6W(Ta),104W(Tc) 8-PQFN(5x6)
型号:
IRLH7134TRPBF
仓库库存编号:
IRLH7134TRPBFCT-ND
别名:IRLH7134TRPBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3720pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1.5KV 12A TO268
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Tc) 890W(Tc) TO-268
型号:
IXTT12N150HV
仓库库存编号:
IXTT12N150HV-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3720pF @ 25V,
不受无铅要求限制
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 140A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 140A(Tc) 3.8W(Ta),200W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3803VSPBF
仓库库存编号:
IRL3803VSPBF-ND
别名:SP001576506
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3720pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1500V 12A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 1500V 12A(Tc) 890W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH12N150
仓库库存编号:
IXTH12N150-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3720pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1500V 12A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 1500V 12A(Tc) 890W(Tc) TO-268
型号:
IXTT12N150
仓库库存编号:
IXTT12N150-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3720pF @ 25V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 90A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 90A(Tc) 128W(Tc) DPAK
型号:
BUK6208-40C,118
仓库库存编号:
568-6979-1-ND
别名:568-6979-1
BUK620840C118
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3720pF @ 25V,
含铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1400V 12A TO268
详细描述:表面贴装 N 沟道 1400V 12A(Tc) 890W(Tc) TO-268
型号:
IXTT12N140
仓库库存编号:
IXTT12N140-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3720pF @ 25V,
无铅
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