产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1480pF @ 25V,
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晶体管 - FET，MOSFET - 单
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封装/外壳
制造商
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工作温度
系列
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零件状态
供应商器件封装
技术
Vgs（最大值）
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
FET 类型
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
FET 功能
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
功率耗散（最大值）
漏源电压（Vdss）
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63(5)
TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB(6)
TO-220-3(4)
TO-220-3 整包(1)
TO-247-3(2)
TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA(1)
TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA(1)
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STMicroelectronics(6)
Fairchild/ON Semiconductor(11)
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表面贴装(11)
通孔(9)
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-55°C ~ 150°C（TJ）(3)
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-55°C ~ 175°C（TJ）(11)
150°C（TJ）(2)
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MDmesh??(5)
UltraFET??(11)
HiPerFET?，Polar3?(3)
汽车级，AEC-Q101，STripFET? H6(1)
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剪切带（CT） (3)
带卷（TR） (3)
管件 (14)
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D2PAK(1)
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TO-251AA(1)
TO-263（IXFA）(1)
I2PAK(1)
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MOSFET（金属氧化物）(20)
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±30V(8)
±16V(11)
±18V(1)
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25nC @ 10V(3)
29nC @ 10V(1)
56nC @ 10V(5)
46nC @ 10V(11)
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30 毫欧 @ 6A，10V(1)
250 毫欧 @ 10A，10V(5)
23 毫欧 @ 20A，10V(5)
22 毫欧 @ 47A，10V(6)
540 毫欧 @ 7A，10V(3)
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10V(8)
4.5V，10V(12)
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N 沟道(19)
P 沟道(1)
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12A（Tc）(1)
20A（Tc）(10)
47A（Tc）(6)
14A（Tc）(3)
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1480pF @ 25V(20)
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-(20)
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2.5V @ 250μA(1)
5V @ 250μA(5)
3V @ 250μA(11)
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45W（Tc）(1)
110W（Tc）(11)
33W（Tc）(1)
192W（Tc）(3)
214W（Tc）(1)
327W（Tc）(3)
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 20A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 110W（Tc） TO-251AA
型号：
HUFA76429D3
仓库库存编号：
HUFA76429D3FS-ND
别名：HUFA76429D3-ND
HUFA76429D3FS
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1480pF @ 25V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET P-CH 30V 12A
详细描述：表面贴装 P 沟道 12A（Tc） 33W（Tc） DPAK
型号：
STD28P3LLH6AG
仓库库存编号：
497-16301-1-ND
别名：497-16301-1
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1480pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 20A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Tc） 110W（Tc） TO-252AA
型号：
HUFA76429D3ST_F085
仓库库存编号：
HUFA76429D3ST_F085CT-ND
别名：HUFA76429D3ST_F085CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1480pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 47A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 47A（Tc） 110W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
HUF76429S3ST
仓库库存编号：
HUF76429S3STCT-ND
别名：HUF76429S3STCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1480pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 14A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 14A（Tc） 327W（Tc） TO-220AB
型号：
IXFP14N60P3
仓库库存编号：
IXFP14N60P3-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1480pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 14A TO-263AA
详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Tc） 327W（Tc） TO-263（IXFA）
型号：
IXFA14N60P3
仓库库存编号：
IXFA14N60P3-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1480pF @ 25V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 20A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 192W（Tc） TO-220AB
型号：
STP20NM50
仓库库存编号：
497-2663-5-ND
别名：497-2663-5
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1480pF @ 25V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 550V 20A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Tc） 192W（Tc） D2PAK
型号：
STB20NM50T4
仓库库存编号：
497-5312-2-ND
别名：497-5312-2
Q1966796
STB20NM50T4-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1480pF @ 25V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 550V 20A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 192W（Tc） I2PAK
型号：
STB20NM50-1
仓库库存编号：
497-5382-5-ND
别名：497-5382-5
STB20NM50-1-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1480pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 14A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 14A（Tc） 327W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH14N60P3
仓库库存编号：
IXFH14N60P3-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1480pF @ 25V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 550V 20A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 550V 20A（Tc） 214W（Tc） TO-247-3
型号：
STW20NM50
仓库库存编号：
497-3262-5-ND
别名：497-3262-5
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1480pF @ 25V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 550V 20A TO-220FP
详细描述：通孔 N 沟道 550V 20A（Tc） 45W（Tc） TO-220FP
型号：
STP20NM50FP
仓库库存编号：
497-5394-5-ND
别名：497-5394-5
STP20NM50FP-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1480pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 20A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 20A（Tc） 110W（Tc） TO-252AA
型号：
HUF76429D3S
仓库库存编号：
HUF76429D3S-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1480pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 20A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 20A（Tc） 110W（Tc） TO-252AA
型号：
HUF76429D3ST
仓库库存编号：
HUF76429D3ST-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1480pF @ 25V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 47A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 60V 47A（Tc） 110W（Tc） TO-220AB
型号：
HUF76429P3
仓库库存编号：
HUF76429P3-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1480pF @ 25V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 20A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 20A（Tc） 110W（Tc） TO-252AA
型号：
HUFA76429D3S
仓库库存编号：
HUFA76429D3S-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1480pF @ 25V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 47A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 60V 47A（Tc） 110W（Tc） TO-220AB
型号：
HUFA76429P3
仓库库存编号：
HUFA76429P3-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1480pF @ 25V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 47A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 47A（Tc） 110W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
HUFA76429S3S
仓库库存编号：
HUFA76429S3S-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1480pF @ 25V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 47A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 47A（Tc） 110W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
HUF76429S3S
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 47A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 47A（Tc） 110W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
HUFA76429S3ST
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产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1480pF @ 25V,
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