产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2672pF @ 16V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 90A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 90A(Tc) 3.1W(Ta),120W(Tc) D2PAK
型号:
IRF3709SPBF
仓库库存编号:
IRF3709SPBF-ND
别名:*IRF3709SPBF
SP001571378
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2672pF @ 16V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 90A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 90A(Tc) 3.1W(Ta),120W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF3709PBF
仓库库存编号:
IRF3709PBF-ND
别名:*IRF3709PBF
SP001570060
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2672pF @ 16V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 91A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 91A(Tc) 115W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR8103VTRPBF
仓库库存编号:
IRLR8103VPBFTR-ND
别名:IRLR8103VPBFTR
SP001558514
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2672pF @ 16V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 90A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 90A(Tc) 3.1W(Ta),120W(Tc) D2PAK
型号:
IRF3709STRLPBF
仓库库存编号:
IRF3709STRLPBF-ND
别名:SP001559576
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2672pF @ 16V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 91A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 91A(Tc) 115W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR8103VPBF
仓库库存编号:
IRLR8103VPBF-ND
别名:SP001567340
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2672pF @ 16V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 90A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 90A(Tc) 120W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU3709
仓库库存编号:
IRFU3709-ND
别名:*IRFU3709
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2672pF @ 16V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 90A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 90A(Tc) 3.1W(Ta),120W(Tc) D2PAK
型号:
IRF3709S
仓库库存编号:
IRF3709S-ND
别名:*IRF3709S
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2672pF @ 16V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 90A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 30V 90A(Tc) 3.1W(Ta),120W(Tc) TO-262
型号:
IRF3709L
仓库库存编号:
IRF3709L-ND
别名:*IRF3709L
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2672pF @ 16V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 90A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 30V 90A(Tc) 3.1W(Ta),120W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF3709
仓库库存编号:
IRF3709-ND
别名:*IRF3709
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2672pF @ 16V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 90A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 90A(Tc) 3.1W(Ta),120W(Tc) D2PAK
型号:
IRF3709STRL
仓库库存编号:
IRF3709STRL-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2672pF @ 16V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 90A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 90A(Tc) 3.1W(Ta),120W(Tc) D2PAK
型号:
IRF3709STRR
仓库库存编号:
IRF3709STRR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2672pF @ 16V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 91A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 91A(Tc) 115W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR8103VTRL
仓库库存编号:
IRLR8103VTRL-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2672pF @ 16V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 91A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 91A(Tc) 115W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR8103VTRR
仓库库存编号:
IRLR8103VTRR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2672pF @ 16V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 90A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 30V 90A(Tc) 3.1W(Ta),120W(Tc) TO-262
型号:
IRF3709LPBF
仓库库存编号:
IRF3709LPBF-ND
别名:*IRF3709LPBF
SP001561748
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2672pF @ 16V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 91A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 91A(Tc) 115W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR8103VTRRPBF
仓库库存编号:
IRLR8103VTRRPBF-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2672pF @ 16V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 90A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 90A(Tc) 3.1W(Ta),120W(Tc) D2PAK
型号:
IRF3709STRRPBF
仓库库存编号:
IRF3709STRRPBF-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2672pF @ 16V,
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MOSFET N-CH 30V 91A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 91A(Tc) 115W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR8103VTRLPBF
仓库库存编号:
IRLR8103VTRLPBF-ND
别名:SP001558542
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2672pF @ 16V,
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