产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1620pF @ 100V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 950V 10A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 10A(Tc) 190W(Tc) TO-220
型号:
STP13N95K3
仓库库存编号:
497-10784-5-ND
别名:497-10784-5
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1620pF @ 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 20.2A(Tc) 151W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP65R190E6XKSA1
仓库库存编号:
IPP65R190E6XKSA1-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1620pF @ 100V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 950V 10A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 10A(Tc) 40W(Tc) TO-220FP
型号:
STF13N95K3
仓库库存编号:
497-12568-5-ND
别名:497-12568-5
STF13N95K3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1620pF @ 100V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N CH 950V 10A I2PAKFP
详细描述:通孔 N 沟道 10A(Tc) 40W(Tc) I2PAKFP(TO-281)
型号:
STFI13N95K3
仓库库存编号:
497-13267-5-ND
别名:497-13267-5
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1620pF @ 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 20.2A(Tc) 151W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP65R190C6XKSA1
仓库库存编号:
IPP65R190C6XKSA1-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1620pF @ 100V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 950V 10A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 10A(Tc) 190W(Tc) TO-247-3
型号:
STW13N95K3
仓库库存编号:
497-10772-5-ND
别名:497-10772-5
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1620pF @ 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 4VSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 20.2A(Tc) 151W(Tc) PG-VSON-4
型号:
IPL65R190E6AUMA1
仓库库存编号:
IPL65R190E6AUMA1-ND
别名:SP001074938
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1620pF @ 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 20.2A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 20.2A(Tc) 151W(Tc) PG-TO263
型号:
IPB65R190C6ATMA1
仓库库存编号:
IPB65R190C6ATMA1CT-ND
别名:IPB65R190C6CT
IPB65R190C6CT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1620pF @ 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 650V 20.2A(Tc) 34W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPA65R190C6XKSA1
仓库库存编号:
IPA65R190C6XKSA1-ND
别名:IPA65R190C6
IPA65R190C6-ND
SP000863892
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1620pF @ 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 650V 20.2A(Tc) 34W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPA65R190E6XKSA1
仓库库存编号:
IPA65R190E6XKSA1-ND
别名:IPA65R190E6
IPA65R190E6-ND
SP000863904
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1620pF @ 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 20.2A TO262
详细描述:通孔 N 沟道 650V 20.2A(Tc) 151W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI65R190C6XKSA1
仓库库存编号:
IPI65R190C6XKSA1-ND
别名:IPI65R190C6
IPI65R190C6-ND
SP000863900
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1620pF @ 100V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 20.2A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 650V 20.2A(Tc) 151W(Tc) PG-TO247-3
型号:
IPW65R190C6FKSA1
仓库库存编号:
IPW65R190C6FKSA1-ND
别名:IPW65R190C6
IPW65R190C6-ND
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 20.2A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 650V 20.2A(Tc) 151W(Tc) PG-TO247-3
型号:
IPW65R190E6FKSA1
仓库库存编号:
IPW65R190E6FKSA1-ND
别名:IPW65R190E6
IPW65R190E6-ND
SP000863906
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1620pF @ 100V,
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