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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V 17A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 17A（Tc） 190W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP18NM80
  仓库库存编号：497-10076-5-ND
  别名：497-10076-5
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2070pF @ 50V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 35A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Tc） 71W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD25CN10NGATMA1
  仓库库存编号：IPD25CN10NGATMA1CT-ND
  别名：IPD25CN10NGATMA1CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2070pF @ 50V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V 17A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 17A（Tc） 190W（Tc） TO-247-3
  
  型号：STW18NM80
  仓库库存编号：497-10085-5-ND
  别名：497-10085-5
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2070pF @ 50V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V 17A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 17A（Tc） 40W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF18NM80
  仓库库存编号：497-13081-5-ND
  别名：497-13081-5
  STF18NM80-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2070pF @ 50V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V 17A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Tc） 190W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB18NM80
  仓库库存编号：497-10117-1-ND
  别名：497-10117-1
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2070pF @ 50V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 35A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 35A（Tc） 71W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP26CN10NGHKSA1
  仓库库存编号：IPP26CN10NGHKSA1-ND
  别名：IPP26CN10N G
  IPP26CN10N G-ND
  IPP26CN10NGX
  IPP26CN10NGXK
  SP000096471
  SP000680922
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2070pF @ 50V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 35A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 35A（Tc） 71W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB26CN10NGATMA1
  仓库库存编号：IPB26CN10NGATMA1TR-ND
  别名：IPB26CN10N G
  IPB26CN10N G-ND
  SP000277692
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2070pF @ 50V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 35A TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 35A（Tc） 71W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI26CN10N G
  仓库库存编号：IPI26CN10N G-ND
  别名：SP000208932
  SP000680726
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2070pF @ 50V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 35A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 35A（Tc） 71W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD25CN10NGBUMA1
  仓库库存编号：IPD25CN10NGBUMA1CT-ND
  别名：IPD25CN10N GCT
  IPD25CN10N GCT-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2070pF @ 50V,
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