产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.9V @ 3mA,
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
>
晶体管 - FET,MOSFET - 单
筛选品牌
IXYS (2)
Microsemi Corporation (5)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 60A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 60A(Tc) 431W(Tc) TO-247 [B]
型号:
APT60N60BCSG
仓库库存编号:
APT60N60BCSG-ND
别名:APT60N60BCSGMI
APT60N60BCSGMI-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.9V @ 3mA,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 60A D3PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 60A(Tc) 431W(Tc) D3Pak
型号:
APT60N60SCSG/TR
仓库库存编号:
APT60N60SCSG/TR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.9V @ 3mA,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 600V 38A ISOPLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 600V 38A(Tc) ISOPLUS247?
型号:
IXKR40N60C
仓库库存编号:
IXKR40N60C-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.9V @ 3mA,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 600V 38A I4-PAC-5
详细描述:通孔 N 沟道 600V 41A(Tc) ISOPLUS i4-PAC?
型号:
IXKF40N60SCD1
仓库库存编号:
IXKF40N60SCD1-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.9V @ 3mA,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 60A D3PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 60A(Tc) 431W(Tc) D3Pak
型号:
APT60N60SCSG
仓库库存编号:
APT60N60SCSG-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.9V @ 3mA,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 50A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 600V 50A(Tc) 290W(Tc) SOT-227
型号:
APT50N60JCCU2
仓库库存编号:
APT50N60JCCU2-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.9V @ 3mA,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 52A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 600V 52A(Tc) 290W(Tc) SOT-227
型号:
APT50N60JCU2
仓库库存编号:
APT50N60JCU2-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.9V @ 3mA,
无铅
搜索
1
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号