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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V TO-251-3
  详细描述：通孔 N 沟道 2.3A（Tc） 22W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPU60R2K1CEBKMA1
  仓库库存编号：IPU60R2K1CEBKMA1-ND
  别名：SP001276064
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 60μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 700V 12.8A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 6A（Tc） 30.5W（Tc） PG-TO251
  
  型号：IPS70R900P7SAKMA1
  仓库库存编号：IPS70R900P7SAKMA1-ND
  别名：SP001499716
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 60μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET NCH 600V 3.7A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.7A（Tc） 5W（Tc） PG-SOT223
  
  型号：IPN60R2K1CEATMA1
  仓库库存编号：IPN60R2K1CEATMA1CT-ND
  别名：IPN60R2K1CEATMA1CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 60μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 2.3A TO-252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.3A（Tc） 38W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD60R2K1CEAUMA1
  仓库库存编号：IPD60R2K1CEAUMA1CT-ND
  别名：IPD60R2K1CEAUMA1CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 60μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 700V 12.8A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Tc） 30.5W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD70R900P7SAUMA1
  仓库库存编号：IPD70R900P7SAUMA1CT-ND
  别名：IPD70R900P7SAUMA1CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 60μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V TO-251
  详细描述：通孔 N 沟道 2.4A（Tc） 22.3W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPU60R2K0C6AKMA1
  仓库库存编号：IPU60R2K0C6AKMA1-ND
  别名：SP001399934
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 60μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 700V 6A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Tc） 6.5W（Tc） PG-SOT223
  
  型号：IPN70R900P7SATMA1
  仓库库存编号：IPN70R900P7SATMA1CT-ND
  别名：IPN70R900P7SATMA1CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 60μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V TO-252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 2.3A（Tc） 22W（Tc） TO-252-3
  
  型号：IPD60R2K1CEBTMA1
  仓库库存编号：IPD60R2K1CEBTMA1CT-ND
  别名：IPD60R2K1CEBTMA1CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 60μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 2.4A（Tc） 22.3W（Tc） TO-252-3
  
  型号：IPD60R2K0C6ATMA1
  仓库库存编号：IPD60R2K0C6ATMA1-ND
  别名：SP001117714
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 60μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 8TSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 2.3A（Tc） 21.6W（Tc） Thin-PAK（5x6）
  
  型号：IPL60R2K1C6SATMA1
  仓库库存编号：IPL60R2K1C6SATMA1-ND
  别名：SP001163026
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 60μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 2.4A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 2.4A（Tc） 22.3W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD60R2K0C6BTMA1
  仓库库存编号：IPD60R2K0C6BTMA1CT-ND
  别名：IPD60R2K0C6CT
  IPD60R2K0C6CT-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 60μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 2.4A TO-251
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 2.4A（Tc） 22.3W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPU60R2K0C6BKMA1
  仓库库存编号：IPU60R2K0C6BKMA1-ND
  别名：SP000931528
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 60μA,
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