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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V DPAK-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10.6A（Tc） 83W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD60R380P6ATMA1
  仓库库存编号：IPD60R380P6ATMA1CT-ND
  别名：IPD60R380P6ATMA1CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4.5V @ 320μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10.6A（Tc） 83W（Tc） PG-TO263
  
  型号：IPB60R380P6ATMA1
  仓库库存编号：IPB60R380P6ATMA1CT-ND
  别名：IPB60R380P6ATMA1CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4.5V @ 320μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V TO220FP-3
  详细描述：通孔 N 沟道 10.6A（Tc） 31W（Tc） PG-TO-220-FP
  
  型号：IPA60R380P6XKSA1
  仓库库存编号：IPA60R380P6XKSA1-ND
  别名：SP001017072
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4.5V @ 320μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 10.6A（Tc） 83W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP60R380P6XKSA1
  仓库库存编号：IPP60R380P6XKSA1-ND
  别名：SP001017058
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4.5V @ 320μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 3TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 10.6A（Tc） 83W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD60R380P6BTMA1
  仓库库存编号：IPD60R380P6BTMA1CT-ND
  别名：IPD60R380P6BTMA1CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4.5V @ 320μA,
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