产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.9V @ 135μA,
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
>
晶体管 - FET,MOSFET - 单
筛选品牌
Infineon Technologies (10)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 3.2A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 3.2A(Tc) 29.7W(Tc) PG-TO220-FP
型号:
SPA03N60C3
仓库库存编号:
SPA03N60C3IN-ND
别名:SP000216296
SPA03N60C3IN
SPA03N60C3XK
SPA03N60C3XKSA1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.9V @ 135μA,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 3.2A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.2A(Tc) 38W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD03N60C3
仓库库存编号:
SPD03N60C3INCT-ND
别名:SPD03N60C3INCT
SPD03N60C3XTINCT
SPD03N60C3XTINCT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.9V @ 135μA,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 3.2A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.2A(Tc) 38W(Tc) PG-TO252-3-1
型号:
SPD03N50C3ATMA1
仓库库存编号:
SPD03N50C3ATMA1CT-ND
别名:SPD03N50C3ATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.9V @ 135μA,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 560V 3.2A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.2A(Tc) 38W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD03N50C3
仓库库存编号:
SPD03N50C3INCT-ND
别名:SPD03N50C3INCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.9V @ 135μA,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 3.2A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 3.2A(Tc) 38W(Tc) PG-TO252-3-1
型号:
SPD03N60C3ATMA1
仓库库存编号:
SPD03N60C3ATMA1-ND
别名:SP001117760
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.9V @ 135μA,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 3.2A TO251-3
详细描述:通孔 N 沟道 650V 3.2A(Tc) 38W(Tc) PG-TO251-3
型号:
SPS03N60C3BKMA1
仓库库存编号:
SPS03N60C3BKMA1-ND
别名:SP000235877
SP000307418
SPS03N60C3
SPS03N60C3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.9V @ 135μA,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 3.2A TO-251
详细描述:通孔 N 沟道 650V 3.2A(Tc) 38W(Tc) PG-TO251-3
型号:
SPU03N60C3BKMA1
仓库库存编号:
SPU03N60C3BKMA1-ND
别名:SP000095849
SPU03N60C3
SPU03N60C3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.9V @ 135μA,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 3.2A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 650V 3.2A(Tc) 38W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP03N60C3HKSA1
仓库库存编号:
SPP03N60C3HKSA1-ND
别名:SP000013524
SPP03N60C3
SPP03N60C3IN
SPP03N60C3IN-ND
SPP03N60C3X
SPP03N60C3X-ND
SPP03N60C3XK
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.9V @ 135μA,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 3.2A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 3.2A(Tc) 38W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB03N60C3ATMA1
仓库库存编号:
SPB03N60C3ATMA1CT-ND
别名:SPB03N60C3INCT
SPB03N60C3INCT-ND
SPB03N60C3XTINCT
SPB03N60C3XTINCT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.9V @ 135μA,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 0.7A SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 700mA(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
SPN03N60C3
仓库库存编号:
SPN03N60C3-ND
别名:SP000014455
SP000101879
SPN03N60C3T
SPN03N60C3XT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.9V @ 135μA,
含铅
搜索
1
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号