产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 83μA,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 70A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 70A(Tc) 125W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP70N10S312AKSA1
仓库库存编号:
IPP70N10S312AKSA1-ND
别名:IPP70N10S3-12
IPP70N10S3-12-ND
IPP70N10S312
SP000407122
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 83μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 70A(Tc) 125W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB70N10S312ATMA1
仓库库存编号:
IPB70N10S312ATMA1CT-ND
别名:IPB70N10S3-12INCT
IPB70N10S3-12INCT-ND
IPB70N10S312ATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 83μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 67A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 67A(Tc) 125W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD12CN10NGATMA1
仓库库存编号:
IPD12CN10NGATMA1CT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 83μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 120V 75A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 75A(Tc) 136W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP114N12N3GXKSA1
仓库库存编号:
IPP114N12N3GXKSA1-ND
别名:IPP114N12N3 G
IPP114N12N3 G-ND
IPP114N12N3G
SP000652740
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 83μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 70A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 70A(Tc) 125W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD70N10S312ATMA1
仓库库存编号:
IPD70N10S312ATMA1CT-ND
别名:IPD70N10S3-12CT
IPD70N10S3-12CT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 83μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO-252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 120V 70A(Tc) 125W(Tc) PG-TO252-3-11
型号:
IPD70N12S311ATMA1
仓库库存编号:
IPD70N12S311ATMA1-ND
别名:SP001400108
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 83μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 70A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 100V 70A(Tc) 125W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI70N10S312AKSA1
仓库库存编号:
IPI70N10S312AKSA1-ND
别名:IPI70N10S3-12
IPI70N10S3-12-ND
SP000407124
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 83μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 35A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 100V 35A(Tc) 150W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP35N10
仓库库存编号:
SPP35N10IN-ND
别名:SP000013851
SPP35N10IN
SPP35N10X
SPP35N10XTIN
SPP35N10XTIN-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 83μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 35A(Tc) 150W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB35N10
仓库库存编号:
SPB35N10INTR-ND
别名:SPB35N10INTR
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 83μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 35A(Tc) 150W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB35N10T
仓库库存编号:
SPB35N10T-ND
别名:SP000013627
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 83μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 67A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 100V 67A(Tc) 125W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP12CN10N G
仓库库存编号:
IPP12CN10N G-ND
别名:IPP12CN10NGX
IPP12CN10NGXK
SP000096468
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 83μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 85V 67A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 85V 67A(Tc) 125W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP12CNE8N G
仓库库存编号:
IPP12CNE8N G-ND
别名:IPP12CNE8NGX
IPP12CNE8NGXK
SP000096467
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 83μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 35A(Tc) 150W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB35N10 G
仓库库存编号:
SPB35N10 G-ND
别名:SP000102172
SPB35N10GXT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 83μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 35A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 100V 35A(Tc) 150W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
SPI35N10
仓库库存编号:
SPI35N10-ND
别名:SP000013852
SPI35N10X
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 83μA,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 67A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 67A(Tc) 125W(Tc) PG-TO263-3
型号:
IPB12CN10N G
仓库库存编号:
IPB12CN10N G-ND
别名:SP000096450
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 83μA,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 85V 67A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 85V 67A(Tc) 125W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB12CNE8N G
仓库库存编号:
IPB12CNE8N G-ND
别名:SP000096451
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 83μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 67A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 67A(Tc) 125W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD12CN10NGBUMA1
仓库库存编号:
IPD12CN10NGBUMA1TR-ND
别名:IPD12CN10N G
IPD12CN10N G-ND
SP000096476
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 83μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 85V 67A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 85V 67A(Tc) 125W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD12CNE8N G
仓库库存编号:
IPD12CNE8N G-ND
别名:SP000096477
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 83μA,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 67A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 100V 67A(Tc) 125W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI12CN10N G
仓库库存编号:
IPI12CN10N G-ND
别名:SP000208928
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 83μA,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 85V 67A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 85V 67A(Tc) 125W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI12CNE8N G
仓库库存编号:
IPI12CNE8N G-ND
别名:SP000208929
SP000680714
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 83μA,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 120V 75A TO251-3
详细描述:通孔 N 沟道 120V 75A(Tc) 136W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPS110N12N3GBKMA1
仓库库存编号:
IPS110N12N3GBKMA1-ND
别名:IPS110N12N3 G
IPS110N12N3 G-ND
IPS110N12N3GBKMA1TR-ND
SP000674456
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 83μA,
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MOSFET N-CH 100V 75A TO251-3
详细描述:通孔 N 沟道 100V 75A(Tc) 125W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPS118N10N G
仓库库存编号:
IPS118N10N G-ND
别名:SP000475890
SP000680974
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 83μA,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 120V 75A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 120V 75A(Tc) 136W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD110N12N3GBUMA1
仓库库存编号:
IPD110N12N3GBUMA1CT-ND
别名:IPD110N12N3 GCT
IPD110N12N3 GCT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 83μA,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 67A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 100V 67A(Tc) 125W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP12CN10NGXKSA1
仓库库存编号:
IPP12CN10NGXKSA1-ND
别名:SP000680866
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 83μA,
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