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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 7.3A（Tc） 63W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD65R600C6
  仓库库存编号：IPD65R600C6BTMA1CT-ND
  别名：IPD65R600C6CT
  IPD65R600C6CT-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 210μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 7.3A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 7.3A（Tc） 28W（Tc） PG-TO-220-FP
  
  型号：IPA65R600E6
  仓库库存编号：IPA65R600E6-ND
  别名：IPA65R600E6XKSA1
  SP000799140
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 210μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET NCH 650V 10.1A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 10.1A（Tc） 28W（Tc） PG-TO220 整包
  
  型号：IPAN65R650CEXKSA1
  仓库库存编号：IPAN65R650CEXKSA1-ND
  别名：SP001508828
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 210μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V TO-220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 28W（Tc） TO-220 整包
  
  型号：IPA65R650CEXKSA1
  仓库库存编号：IPA65R650CEXKSA1-ND
  别名：SP001295804
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 210μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 7A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 7A（Tc） 86W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD65R650CEAUMA1
  仓库库存编号：IPD65R650CEAUMA1-ND
  别名：SP001396908
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 210μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET COOLMOS 650V TO251-3
  详细描述：通孔 N 沟道 700V 10.1A（Tc） 86W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPS65R650CEAKMA1
  仓库库存编号：IPS65R650CEAKMA1-ND
  别名：SP001422888
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 210μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET COOLMOS 700V TO251-3
  详细描述：通孔 N 沟道 700V 10.5A（Tc） 86W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPSA70R600CEAKMA1
  仓库库存编号：IPSA70R600CEAKMA1-ND
  别名：SP001605364
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 210μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 7.3A（Tc） 63W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD65R600E6BTMA1
  仓库库存编号：IPD65R600E6BTMA1CT-ND
  别名：IPD65R600E6BTMA1CT
  IPD65R600E6CT
  IPD65R600E6CT-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 210μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 7.3A（Tc） 63W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD65R600E6ATMA1
  仓库库存编号：IPD65R600E6ATMA1-ND
  别名：SP001117096
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 210μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 8TSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 6.7A（Tc） 56.8W（Tc） Thin-PAK（5x6）
  
  型号：IPL65R650C6SATMA1
  仓库库存编号：IPL65R650C6SATMA1-ND
  别名：SP001163082
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 210μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V TO-251-3
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 7.3A（Tc） 63W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPS65R600E6AKMA1
  仓库库存编号：IPS65R600E6AKMA1-ND
  别名：SP001273092
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 210μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 7.3A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 7.3A（Tc） 63W（Tc） PG-TO263
  
  型号：IPB65R600C6ATMA1
  仓库库存编号：IPB65R600C6ATMA1CT-ND
  别名：IPB65R600C6CT
  IPB65R600C6CT-ND
  
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  MOSFET N-CH 650V 7.3A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 7.3A（Tc） 28W（Tc） PG-TO220 整包
  
  型号：IPA65R600C6XKSA1
  仓库库存编号：IPA65R600C6XKSA1-ND
  别名：IPA65R600C6
  IPA65R600C6-ND
  SP000850502
  
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  MOSFET N-CH 650V 7.3A TO262
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 7.3A（Tc） 63W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI65R600C6XKSA1
  仓库库存编号：IPI65R600C6XKSA1-ND
  别名：IPI65R600C6
  IPI65R600C6-ND
  SP000850504
  
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  MOSFET N-CH 650V 7.3A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 7.3A（Tc） 63W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP65R600E6XKSA1
  仓库库存编号：IPP65R600E6XKSA1-ND
  别名：IPP65R600E6
  IPP65R600E6-ND
  SP000850500
  
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  MOSFET N-CH 650V 7.3A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 7.3A（Tc） 63W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP65R600C6XKSA1
  仓库库存编号：IPP65R600C6XKSA1-ND
  别名：IPP65R600C6
  IPP65R600C6-ND
  SP000661310
  
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  详细描述：通孔 N 沟道 700V 10.5A（Tc） 86W（Tc） PG-TO252
  
  型号：IPAW70R600CEXKSA1
  仓库库存编号：IPAW70R600CEXKSA1-ND
  别名：SP001619370
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 210μA,
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