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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 13.8A TO262
  详细描述：通孔 N 沟道 13.8A（Tc） 104W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI60R280C6XKSA1
  仓库库存编号：IPI60R280C6XKSA1-ND
  别名：IPI60R280C6
  IPI60R280C6-ND
  SP000687554
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 430μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 13.8A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 13.8A（Tc） 104W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP60R280P6XKSA1
  仓库库存编号：IPP60R280P6XKSA1-ND
  别名：SP001017062
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 430μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 13.8A TO220-FP
  详细描述：通孔 N 沟道 13.8A（Tc） 32W（Tc） PG-TO-220-FP
  
  型号：IPA60R280C6
  仓库库存编号：IPA60R280C6-ND
  别名：IPA60R280C6XKSA1
  SP000645030
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 430μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 13.8A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 13.8A（Tc） 104W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW60R280C6
  仓库库存编号：IPW60R280C6-ND
  别名：IPW60R280C6FKSA1
  SP000645032
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 430μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 13.8A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 13.8A（Tc） 104W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB60R280C6
  仓库库存编号：IPB60R280C6CT-ND
  别名：IPB60R280C6CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 430μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 19.3A（Tc） 32W（Tc） PG-TO220 整包
  
  型号：IPAW60R280CEXKSA1
  仓库库存编号：IPAW60R280CEXKSA1-ND
  别名：SP001391614
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 430μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 13.8A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 13.8A（Tc） 104W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP60R280C6XKSA1
  仓库库存编号：IPP60R280C6XKSA1-ND
  别名：IPP60R280C6
  IPP60R280C6-ND
  SP000645028
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 430μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 13.8A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 13.8A（Tc） 32W（Tc） PG-TO-220-FP
  
  型号：IPA60R280E6XKSA1
  仓库库存编号：IPA60R280E6XKSA1-ND
  别名：IPA60R280E6
  IPA60R280E6-ND
  SP000797292
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 430μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 13.8A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 13.8A（Tc） 104W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP60R280E6XKSA1
  仓库库存编号：IPP60R280E6XKSA1-ND
  别名：IPP60R280E6
  IPP60R280E6-ND
  SP000797290
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 430μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 13.8A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 13.8A（Tc） 104W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW60R280E6
  仓库库存编号：IPW60R280E6-ND
  别名：IPW60R280E6FKSA1
  SP000797382
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 430μA,
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