产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 80μA,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 136W(Tc) PG-TO252-3-11
型号:
IPD30N06S215ATMA2
仓库库存编号:
IPD30N06S215ATMA2CT-ND
别名:IPD30N06S215ATMA2CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 80μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 6A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 6A(Tc) 30W(Tc) PG-TO220-3
型号:
IPP60R600P7XKSA1
仓库库存编号:
IPP60R600P7XKSA1-ND
别名:SP001606032
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 80μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 6A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 6A(Tc) 7W(Tc) PG-SOT223
型号:
IPN60R600P7SATMA1
仓库库存编号:
IPN60R600P7SATMA1CT-ND
别名:IPN60R600P7SATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 80μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 6A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 6A(Tc) 30W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD60R600P7ATMA1
仓库库存编号:
IPD60R600P7ATMA1CT-ND
别名:IPD60R600P7ATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 80μA,
无铅
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Infineon Technologies
CONSUMER
详细描述:表面贴装 N 沟道 6A(Tc) 30W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD60R600P7SAUMA1
仓库库存编号:
IPD60R600P7SAUMA1CT-ND
别名:IPD60R600P7SAUMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 80μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 6A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 6A(Tc) 21W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPA60R600P7SXKSA1
仓库库存编号:
IPA60R600P7SXKSA1-ND
别名:SP001658294
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 80μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 6A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 6A(Tc) 21W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPAW60R600P7SXKSA1
仓库库存编号:
IPAW60R600P7SXKSA1-ND
别名:SP001618082
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 80μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 6A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 6A(Tc) 21W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPA60R600P7XKSA1
仓库库存编号:
IPA60R600P7XKSA1-ND
别名:SP001618084
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 80μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 30A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 75V 30A(Tc) 136W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD30N08S222ATMA1
仓库库存编号:
IPD30N08S222ATMA1TR-ND
别名:IPD30N08S2-22
IPD30N08S2-22-ND
SP000252169
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 80μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 50A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 50A(Tc) 136W(Tc) PG-TO252-3-11
型号:
IPD50N06S214ATMA2
仓库库存编号:
IPD50N06S214ATMA2-ND
别名:SP001063624
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 80μA,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 100A(Tc) 150W(Tc) PG-TDSON-8-23
型号:
IPC100N04S402ATMA1
仓库库存编号:
IPC100N04S402ATMA1-ND
别名:SP001007758
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 80μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 30A(Tc) 136W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD30N06S2-15
仓库库存编号:
IPD30N06S2-15CT-ND
别名:IPD30N06S2-15CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 80μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 8HSOF
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 250A(Tc) 188W(Tc) PG-HSOF-8-1
型号:
IPLU250N04S41R7XTMA1
仓库库存编号:
IPLU250N04S41R7XTMA1-ND
别名:SP001121552
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 80μA,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 80A(Tc) 135W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB80N06S3-07
仓库库存编号:
IPB80N06S3-07-ND
别名:IPB80N06S307XT
SP000088065
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 80μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 55V 80A(Tc) 135W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI80N06S3-07
仓库库存编号:
IPI80N06S3-07IN-ND
别名:IPI80N06S3-07-ND
IPI80N06S3-07IN
IPI80N06S307X
IPI80N06S307XK
SP000088064
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 80μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 55V 80A(Tc) 135W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP80N06S3-07
仓库库存编号:
IPP80N06S3-07-ND
别名:IPP80N06S307X
IPP80N06S307XK
SP000088067
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 80μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 30A(Tc) 136W(Tc) P-TO252-3
型号:
SPD30N06S2-15
仓库库存编号:
SPD30N06S2-15-ND
别名:SP000012477
SPD30N06S215T
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 80μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 30A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75V 30A(Tc) 136W(Tc) P-TO252-3
型号:
SPD30N08S2-22
仓库库存编号:
SPD30N08S2-22-ND
别名:SP000013153
SPD30N08S222T
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 80μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 50A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 50A(Tc) 136W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD144N06NGBTMA1
仓库库存编号:
IPD144N06NGBTMA1CT-ND
别名:IPD144N06NG
IPD144N06NGINCT
IPD144N06NGINCT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 80μA,
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MOSFET N-CH 55V 50A TO252-3
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型号:
IPD50N06S214ATMA1
仓库库存编号:
IPD50N06S214ATMA1TR-ND
别名:IPD50N06S2-14
IPD50N06S2-14-ND
SP000252171
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 80μA,
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