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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 650V 5.8A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5.8A（Ta） 60W（Tc） DPAK
  
  型号：TK6P65W,RQ
  仓库库存编号：TK6P65WRQCT-ND
  别名：TK6P65WRQCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 180μA,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 650V 5.8A IPAK-OS
  详细描述：通孔 N 沟道 5.8A（Ta） 60W（Tc） I-Pak
  
  型号：TK6Q65W,S1Q
  仓库库存编号：TK6Q65WS1Q-ND
  别名：TK6Q65W,S1Q(S
  TK6Q65WS1Q
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 180μA,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 650V 5.8A TO-220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 5.8A（Ta） 30W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK6A65W,S5X
  仓库库存编号：TK6A65WS5X-ND
  别名：TK6A65W,S5X(M
  TK6A65WS5X
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 180μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 120A（Tc） 250W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB120N10S403ATMA1
  仓库库存编号：IPB120N10S403ATMA1-ND
  别名：SP001102598
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 180μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH TO263-7
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 180A（Tc） 250W（Tc） PG-TO263-7-3
  
  型号：IPB180N10S403ATMA1
  仓库库存编号：IPB180N10S403ATMA1-ND
  别名：SP000915592
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 180μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 120A（Tc） 250W（Tc） PG-TO263-3-1
  
  型号：IPI120N10S403AKSA1
  仓库库存编号：IPI120N10S403AKSA1-ND
  别名：SP001102584
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 180μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 120A（Tc） 250W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP120N10S403AKSA1
  仓库库存编号：IPP120N10S403AKSA1-ND
  别名：SP001102564
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 180μA,
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