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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 37A 8DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Ta），37A（Tc） 2.7W（Ta），33W（Tc） 8-WDFN（3.3x3.3）
  
  型号：NTTFS5820NLTAG
  仓库库存编号：NTTFS5820NLTAGOSCT-ND
  别名：NTTFS5820NLTAGOSCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.3V @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 16A PPAK 1212-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Tc） 3.5W（Ta），27.7W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SIS438DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SIS438DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SIS438DN-T1-GE3CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.3V @ 250μA,
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 25V 56A 8-SON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Ta），56A（Tc） 2.7W（Ta） 8-VSON（3.3x3.3）
  
  型号：CSD16411Q3
  仓库库存编号：296-24255-1-ND
  别名：296-24255-1
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.3V @ 250μA,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 40V 30A 8DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Ta），50A（Tc） 6.2W（Ta），83W（Tc） 8-DFN-EP（3.3x3.3）
  
  型号：AON7242
  仓库库存编号：785-1378-1-ND
  别名：785-1378-1
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.3V @ 250μA,
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 40V 8SON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 19A（Ta），100A（Tc） 3.1W（Ta），120W（Tc） 8-VSON（5x6）
  
  型号：CSD18503Q5A
  仓库库存编号：296-30571-1-ND
  别名：296-30571-1
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.3V @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 40V 35A PPAK 1212-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 35A（Tc） 3.7W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SIS443DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SIS443DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SIS443DN-T1-GE3CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.3V @ 250μA,
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 60V 8SON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 19A（Ta），100A（Tc） 3.1W（Ta），156W（Tc） 8-VSONP（5x6）
  
  型号：CSD18531Q5A
  仓库库存编号：296-30573-1-ND
  别名：296-30573-1
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.3V @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60A（Tc） 6.25W（Ta），104W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7145DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7145DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7145DP-T1-GE3CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.3V @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60A（Tc） 6.25W（Ta），104W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7141DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7141DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7141DP-T1-GE3CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.3V @ 250μA,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 320MA SOT-23-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 320mA（Ta） 300mW（Tj） SOT-23
  
  型号：2V7002KT1G
  仓库库存编号：2V7002KT1GOSCT-ND
  别名：2V7002KT1GOSCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.3V @ 250μA,
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 400MA SOT-23
  详细描述：表面贴装 P 沟道 400mA（Ta） 225mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：NTR0202PLT1G
  仓库库存编号：NTR0202PLT1GOSCT-ND
  别名：NTR0202PLT1GOS
  NTR0202PLT1GOS-ND
  NTR0202PLT1GOSCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.3V @ 250μA,
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 1A SOT-23-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 1A（Ta） 400mW（Ta） SOT-23-3
  
  型号：NVR1P02T1G
  仓库库存编号：NVR1P02T1GOSCT-ND
  别名：NVR1P02T1GOSCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.3V @ 250μA,
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• Central Semiconductor Corp
  MOSFET N-CH 60V 0.28A SOT-23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1A（Ta） 350mW（Ta） SOT-23
  
  型号：CMPDM7002AHC TR
  仓库库存编号：CMPDM7002AHC CT-ND
  别名：CMPDM7002AHC CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.3V @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 60A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 5.4W（Ta），83W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR866DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIR866DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIR866DP-T1-GE3CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.3V @ 250μA,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 30V 12.4A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12.4A（Ta） 1.6W（Ta） TO-252
  
  型号：DMN3016LK3-13
  仓库库存编号：DMN3016LK3-13DICT-ND
  别名：DMN3016LK3-13DICT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.3V @ 250μA,
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 25V 60A 8-SON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Ta），60A（Tc） 2.6W（Ta） 8-VSON（5x6）
  
  型号：CSD16409Q3
  仓库库存编号：296-24253-1-ND
  别名：296-24253-1
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.3V @ 250μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 161A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 161A（Tc） 140W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRLR7843TRPBF
  仓库库存编号：IRLR7843PBFCT-ND
  别名：*IRLR7843TRPBF
  IRLR7843PBFCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.3V @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 6.25W（Ta），104W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR812DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIR812DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIR812DP-T1-GE3CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.3V @ 250μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 140A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 140A（Tc） 140W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRLR7833TRPBF
  仓库库存编号：IRLR7833PBFCT-ND
  别名：*IRLR7833TRPBF
  IRLR7833PBFCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.3V @ 250μA,
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 60V 100A 8SON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Ta），100A（Tc） 3.2W（Ta），116W（Tc） 8-VSON（5x6）
  
  型号：CSD18533Q5AT
  仓库库存编号：296-41959-1-ND
  别名：296-41959-1
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.3V @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V D-S PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Ta） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIRA16DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIRA16DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIRA16DP-T1-GE3CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.3V @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 18A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Tc） 3.3W（Ta），14.7W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR472ADP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIR472ADP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIR472ADP-T1-GE3CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.3V @ 250μA,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 30V 0.4A
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 400mA（Ta） 500mW（Ta） X1-DFN1006-3
  
  型号：DMP32D5SFB-7B
  仓库库存编号：DMP32D5SFB-7BDICT-ND
  别名：DMP32D5SFB-7BDICT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.3V @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V D-S PPAK 1212-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 16A（Ta） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SISA16DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SISA16DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SISA16DN-T1-GE3CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.3V @ 250μA,
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 25V 59A 8-SON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 16A（Ta），59A（Tc） 3W（Ta） 8-VSON（5x6）
  
  型号：CSD16410Q5A
  仓库库存编号：296-24254-1-ND
  别名：296-24254-1
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.3V @ 250μA,
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