产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 30μA,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 3.7A SC-59
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.7A(Ta) 500mW(Ta) PG-SC-59
型号:
BSR302NL6327HTSA1
仓库库存编号:
BSR302NL6327HTSA1CT-ND
别名:BSR302N L6327CT
BSR302N L6327CT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 30μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3-11
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 71W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPDH6N03LAG
仓库库存编号:
IPDH6N03LAGINCT-ND
别名:IPDH6N03LAGINCT
IPDH6N03LAGXTINCT
IPDH6N03LAGXTINCT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 30μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 40A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 14.6A(Ta),40A(Tc) 2.8W(Ta),60W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC079N03SG
仓库库存编号:
BSC079N03SGINCT-ND
别名:BSC079N03SGINCT
BSC079N03SGXTINCT
BSC079N03SGXTINCT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 30μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 71W(Tc) PG-TSDSON-8
型号:
IPZ40N04S5L2R8ATMA1
仓库库存编号:
IPZ40N04S5L2R8ATMA1CT-ND
别名:IPZ40N04S5L2R8ATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 30μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 7.1A 6TSOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 7.1A(Ta) 2W(Ta) P-TSOP6-6
型号:
BSL302SNH6327XTSA1
仓库库存编号:
BSL302SNH6327XTSA1-ND
别名:SP001100662
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 30μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 6.3A TSOP-6
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 6.3A(Ta) 2W(Ta) PG-TSOP6-6
型号:
BSL303SPEH6327XTSA1
仓库库存编号:
BSL303SPEH6327XTSA1-ND
别名:SP000953144
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 30μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 100A(Tc) 75W(Tc) PG-TDSON-8-34
型号:
IPC100N04S5L2R6ATMA1
仓库库存编号:
IPC100N04S5L2R6ATMA1-ND
别名:SP001418106
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 30μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 40A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 15A(Ta),40A(Tc) 2.8W(Ta),60W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC072N025S G
仓库库存编号:
BSC072N025S G-ND
别名:BSC072N025SGXT
SP000095468
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 30μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 10A 8DSO
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 10A(Ta) 1.56W(Ta) PG-DSO-8
型号:
BSO094N03S
仓库库存编号:
BSO094N03S-ND
别名:BSO094N03SNT
BSO094N03SXT
SP000077648
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 30μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 10A 8DSO
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 10A(Tc) 1.56W(Ta) PG-DSO-8
型号:
BSO104N03S
仓库库存编号:
BSO104N03S-ND
别名:BSO104N03SNT
BSO104N03SXT
SP000077649
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 30μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 50A(Tc) 71W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPBH6N03LA
仓库库存编号:
IPBH6N03LA-ND
别名:IPBH6N03LAT
SP000068587
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 30μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 50A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 50A(Tc) 115W(Tc) P-TO252-3
型号:
IPF04N03LA
仓库库存编号:
IPF04N03LA-ND
别名:IPF04N03LAT
SP000014622
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 30μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 50A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 50A(Tc) 115W(Tc) P-TO252-3
型号:
IPF04N03LA G
仓库库存编号:
IPF04N03LA G-ND
别名:IPF04N03LAGXT
SP000017605
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 30μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 50A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 50A(Tc) 71W(Tc) P-TO252-3
型号:
IPFH6N03LA G
仓库库存编号:
IPFH6N03LA G-ND
别名:IPFH6N03LAGXT
SP000068589
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 30μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 50A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 25V 50A(Tc) 71W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPSH6N03LA G
仓库库存编号:
IPSH6N03LA G-ND
别名:IPSH6N03LAGX
SP000075257
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 30μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 50A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 25V 50A(Tc) 71W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPUH6N03LA G
仓库库存编号:
IPUH6N03LA G-ND
别名:IPUH6N03LAGX
SP000068594
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 30μA,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 50A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 50A(Tc) 71W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPBH6N03LA G
仓库库存编号:
IPBH6N03LAGINCT-ND
别名:IPBH6N03LAG
IPBH6N03LAGINCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 30μA,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 7.1A TSOP-6
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 7.1A(Ta) 2W(Ta) PG-TSOP6-6
型号:
BSL302SNL6327HTSA1
仓库库存编号:
BSL302SNL6327HTSA1CT-ND
别名:BSL302SN L6327INCT
BSL302SN L6327INCT-ND
BSL302SNL6327
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 30μA,
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