产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 70μA,
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
>
晶体管 - FET,MOSFET - 单
筛选品牌
Infineon Technologies (13)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 115W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD04N03LB G
仓库库存编号:
IPD04N03LBGINCT-ND
别名:IPD04N03LBG
IPD04N03LBGINCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 70μA,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 90A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 90A(Tc) 115W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD03N03LA G
仓库库存编号:
IPD03N03LAGINCT-ND
别名:IPD03N03LAG
IPD03N03LAGINCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 70μA,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 23A(Ta),100A(Tc) 2.8W(Ta),78W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC032N03SG
仓库库存编号:
BSC032N03SGINCT-ND
别名:BSC032N03SGINCT
BSC032N03SGXTINCT
BSC032N03SGXTINCT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 70μA,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 23A(Ta),100A(Tc) 2.8W(Ta),78W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC032N03S
仓库库存编号:
BSC032N03S-ND
别名:BSC032N03ST
SP000014714
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 70μA,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 80A(Tc) 107W(Tc) PG-TO263-3
型号:
IPB04N03LB
仓库库存编号:
IPB04N03LB-ND
别名:IPB04N03LBT
SP000064219
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 70μA,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 80A(Tc) 107W(Tc) PG-TO263-3
型号:
IPB04N03LB G
仓库库存编号:
IPB04N03LB G-ND
别名:IPB04N03LBGXT
SP000103301
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 70μA,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 30V 80A(Tc) 107W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP04N03LB G
仓库库存编号:
IPP04N03LB G-ND
别名:IPP04N03LBGX
SP000064223
SP000680800
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 70μA,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 90A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 25V 90A(Tc) 115W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPS03N03LA G
仓库库存编号:
IPS03N03LA G-ND
别名:IPS03N03LAGX
SP000016404
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 70μA,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 90A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 90A(Tc) 115W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPS03N03LB G
仓库库存编号:
IPS03N03LB G-ND
别名:IPS03N03LBGX
SP000220141
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 70μA,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 50A(Tc) 115W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPS04N03LB G
仓库库存编号:
IPS04N03LB G-ND
别名:IPS04N03LBGX
SP000219859
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 70μA,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 50A(Tc) 115W(Tc) P-TO251-3
型号:
IPU04N03LB G
仓库库存编号:
IPU04N03LB G-ND
别名:IPU04N03LBGX
SP000220463
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 70μA,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 14A 8DSO
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 14A(Ta) 1.56W(Ta) PG-DSO-8
型号:
BSO052N03S
仓库库存编号:
BSO052N03SINCT-ND
别名:BSO052N03SINCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 70μA,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 90A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 90A(Tc) 115W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD03N03LB G
仓库库存编号:
IPD03N03LBGINCT-ND
别名:IPD03N03LBG
IPD03N03LBGINCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 70μA,
无铅
搜索
1
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号