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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 200V 372A SP6
  详细描述：底座安装 N 沟道 372A（Tc） 1250W（Tc） SP6
  
  型号：APTM20SKM04G
  仓库库存编号：APTM20SKM04G-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 10mA,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 163A SP6
  详细描述：底座安装 N 沟道 500V 163A (Tc) 1136W（Tc） SP6
  
  型号：APTM50DAM19G
  仓库库存编号：APTM50DAM19G-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 10mA,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 163A SP6
  详细描述：底座安装 N 沟道 500V 163A (Tc) 1136W（Tc） SP6
  
  型号：APTM50SKM19G
  仓库库存编号：APTM50SKM19G-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 10mA,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 200V 317A SP6
  详细描述：底座安装 N 沟道 200V 317A（Tc） 1136W（Tc） SP6
  
  型号：APTM20DAM05G
  仓库库存编号：APTM20DAM05G-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 10mA,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 200V 317A SP6
  详细描述：底座安装 N 沟道 200V 317A（Tc） 1136W（Tc） SP6
  
  型号：APTM20SKM05G
  仓库库存编号：APTM20SKM05G-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 10mA,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 180A SP6
  详细描述：底座安装 N 沟道 500V 180A（Tc） 1250W（Tc） SP6
  
  型号：APTM50DAM17G
  仓库库存编号：APTM50DAM17G-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 10mA,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 180A SP6
  详细描述：底座安装 N 沟道 500V 180A（Tc） 1250W（Tc） SP6
  
  型号：APTM50SKM17G
  仓库库存编号：APTM50SKM17G-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 10mA,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 200V 372A SP6
  详细描述：底座安装 N 沟道 200V 372A（Tc） 1250W（Tc） SP6
  
  型号：APTM20DAM04G
  仓库库存编号：APTM20DAM04G-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 10mA,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1000V 78A SP6
  详细描述：底座安装 N 沟道 1000V 78A（Tc） 1250W（Tc） SP6
  
  型号：APTM100DAM90G
  仓库库存编号：APTM100DAM90G-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 10mA,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1000V 78A SP6
  详细描述：底座安装 N 沟道 1000V 78A（Tc） 1250W（Tc） SP6
  
  型号：APTM100SKM90G
  仓库库存编号：APTM100SKM90G-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 10mA,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 200V 417A SP6
  详细描述：底座安装 N 沟道 200V 417A（Tc） 1560W（Tc） SP6
  
  型号：APTM20UM04SAG
  仓库库存编号：APTM20UM04SAG-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 10mA,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1200V 60A SP6
  详细描述：底座安装 N 沟道 1200V 60A（Tc） 1250W（Tc） SP6
  
  型号：APTM120DA15G
  仓库库存编号：APTM120DA15G-ND
  
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  MOSFET N-CH 1200V 60A SP6
  详细描述：底座安装 N 沟道 1200V 60A（Tc） 1250W（Tc） SP6
  
  型号：APTM120SK15G
  仓库库存编号：APTM120SK15G-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 10mA,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 200V 317A J3
  详细描述：底座安装 N 沟道 200V 317A（Tc） 1136W（Tc） 模块
  
  型号：APTM20UM05SG
  仓库库存编号：APTM20UM05SG-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 10mA,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 163A J3
  详细描述：底座安装 N 沟道 500V 163A (Tc) 1136W（Tc） 模块
  
  型号：APTM50UM19SG
  仓库库存编号：APTM50UM19SG-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 10mA,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 149A J3
  详细描述：底座安装 N 沟道 500V 149A（Tc） 1250W（Tc） 模块
  
  型号：APTM50UM25SG
  仓库库存编号：APTM50UM25SG-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 10mA,
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