产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 3mA,
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晶体管 - FET，MOSFET - 单
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封装/外壳
制造商
安装类型
工作温度
系列
包装
零件状态
供应商器件封装
技术
Vgs（最大值）
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
FET 类型
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
FET 功能
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
功率耗散（最大值）
漏源电压（Vdss）
TO-247-3(4)
9-SMD 模块(2)
TO-263-8，D2Pak（7 引线+接片），TO-263CA(2)
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ISOPLUS247?(1)
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Microsemi Corporation(3)
IXYS(6)
Cree/Wolfspeed(4)
Infineon Technologies(2)
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通孔(8)
底座安装(3)
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±20V(11)
±15V(1)
+18V，-8V(2)
+15V，-4V(1)
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17.3nC @ 15V(2)
190nC @ 10V(8)
270nC @ 10V(3)
21.5nC @ 15V(2)
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155 毫欧 @ 15A，15V(4)
45 毫欧 @ 44A，10V(8)
120 毫欧 @ 26A，10V(3)
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10V(11)
15V(4)
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N 沟道(15)
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60A（Tc）(2)
33A（Tc）(3)
23A（Tc）(1)
50A（Tc）(2)
47A（Tc）(3)
70A（Tc）(1)
22A（Tc）(3)
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350pF @ 600V(4)
6800pF @ 100V(11)
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-(10)
超级结(5)
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3.5V @ 3mA(15)
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-(6)
97W（Tc）(1)
83W（Tc）(3)
290W（Tc）(3)
431W（Tc）(2)
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900V(5)
600V(7)
650V(1)
1000V(2)
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
Cree/Wolfspeed
900V, 120 MOHM, G3 SIC MOSFET
详细描述：通孔 N 沟道 23A（Tc） 97W（Tc） TO-247-3
型号：
C3M0120090D
仓库库存编号：
C3M0120090D-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 3mA,
无铅
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Cree/Wolfspeed
1000V, 120 MOHM, G3 SIC MOSFET
详细描述：通孔 N 沟道 22A（Tc） 83W（Tc） TO-247-4L
型号：
C3M0120100K
仓库库存编号：
C3M0120100K-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 3mA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 60A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 60A（Tc） 431W（Tc） PG-TO247-3
型号：
IPW60R045CP
仓库库存编号：
IPW60R045CPIN-ND
别名：IPW60R045CP-ND
IPW60R045CPFKSA1
IPW60R045CPIN
IPW60R045CPXK
IPW60R045CSX
SP000067149
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 3mA,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 70A TO247AD
详细描述：通孔 N 沟道 70A（Tc） TO-247AD（IXKH）
型号：
IXKH70N60C5
仓库库存编号：
IXKH70N60C5-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 3mA,
无铅
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Cree/Wolfspeed
MOSFET N-CH 900V 22A
详细描述：表面贴装 N 沟道 22A（Tc） 83W（Tc） D2PAK-7
型号：
C3M0120090J-TR
仓库库存编号：
C3M0120090J-TRCT-ND
别名：C3M0120090J-TRCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 3mA,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 47A ISOPLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 47A（Tc） ISOPLUS247?
型号：
IXKR47N60C5
仓库库存编号：
IXKR47N60C5-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 3mA,
无铅
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Cree/Wolfspeed
MOSFET N-CH SIC 1KV 22A D2PAK-7
详细描述：表面贴装 N 沟道 22A（Tc） 83W（Tc） D2PAK-7
型号：
C3M0120100J
仓库库存编号：
C3M0120100J-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 3mA,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 47A I4-PAC-5
详细描述：通孔 N 沟道 600V 47A（Tc） ISOPLUS i4-PAC?
型号：
FDM47-06KC5
仓库库存编号：
FDM47-06KC5-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 3mA,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 47A I4-PAC-5
详细描述：通孔 N 沟道 600V 47A（Tc） ISOPLUS i4-PAC?
型号：
FMD47-06KC5
仓库库存编号：
FMD47-06KC5-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 3mA,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 50A SMPD
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 50A（Tc） ISOPLUS-SMPD?.B
型号：
MKE38RK600DFELB-TRR
仓库库存编号：
MKE38RK600DFELB-TRR-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 3mA,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 50A SMPD
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 50A（Tc） ISOPLUS-SMPD?.B
型号：
MKE38RK600DFELB
仓库库存编号：
MKE38RK600DFELB-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 3mA,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 900V 33A SOT227
详细描述：底座安装 N 沟道 900V 33A（Tc） 290W（Tc） SOT-227
型号：
APT33N90JCU2
仓库库存编号：
APT33N90JCU2-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 3mA,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 900V 33A SOT227
详细描述：底座安装 N 沟道 900V 33A（Tc） 290W（Tc） SOT-227
型号：
APT33N90JCU3
仓库库存编号：
APT33N90JCU3-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 3mA,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 900V 33A SOT227
详细描述：底座安装 N 沟道 900V 33A（Tc） 290W（Tc） SOT-227
型号：
APT33N90JCCU2
仓库库存编号：
APT33N90JCCU2-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 3mA,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 60A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 600V 60A（Tc） 431W（Tc） PG-TO247-3
型号：
IPW60R045CPAFKSA1
仓库库存编号：
IPW60R045CPAFKSA1-ND
别名：SP000539772
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 3mA,
无铅
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