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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 20V 9.2A 6-DFN
  详细描述：表面贴装 P 沟道 9.2A（Ta） 1W（Ta） U-DFN2523-6
  
  型号：DMP2018LFK-7
  仓库库存编号：DMP2018LFK-7DICT-ND
  别名：DMP2018LFK-7DICT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.2V @ 200μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 100A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25A（Ta），100A（Tc） 2.8W（Ta），78W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC026N02KS G
  仓库库存编号：BSC026N02KS GCT-ND
  别名：BSC026N02KS GCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.2V @ 200μA,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P-CH 20V 5A VS6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 5A（Ta） 700mW（Ta） VS-6（2.9x2.8）
  
  型号：TPC6113(TE85L,F,M)
  仓库库存编号：TPC6113(TE85LFM)-ND
  别名：TPC6113(TE85LFM)
  TPC6113TE85LFM
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.2V @ 200μA,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P-CH 12V 6A VS-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 12V 6A（Ta） 700mW（Ta） VS-8 (2.9x1.5)
  
  型号：TPCF8101(TE85L,F,M
  仓库库存编号：TPCF8101(TE85LFMCT-ND
  别名：TPCF8101(TE85LFMCT
  TPCF8101FCT
  TPCF8101FCT-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.2V @ 200μA,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P-CH 20V 2.7A VS-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 2.7A（Ta） 330mW（Ta） VS-8 (2.9x1.5)
  
  型号：TPCF8B01(TE85L,F,M
  仓库库存编号：TPCF8B01(TE85LFMCT-ND
  别名：TPCF8B01(TE85LFMCT
  TPCF8B01FCT
  TPCF8B01FCT-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.2V @ 200μA,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P-CH 30V 5A VS-6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 5A（Ta） 700mW（Ta） VS-6（2.9x2.8）
  
  型号：TPC6109-H(TE85L,FM
  仓库库存编号：TPC6109-H(TE85LFMCT-ND
  别名：TPC6109-H(TE85LFMCT
  TPC6109-HTE85LFCT
  TPC6109-HTE85LFCT-ND
  TPC6109HTE85LFM
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.2V @ 200μA,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P-CH 20V 4.5A VS6 2-3T1A
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 5.5A（Ta） 700mW（Ta） VS-6（2.9x2.8）
  
  型号：TPC6104(TE85L,F,M)
  仓库库存编号：TPC6104(TE85L,F,M)-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.2V @ 200μA,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P-CH 20V 4.5A VS6 2-3T1A
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 4.5A（Ta） 700mW（Ta） VS-6（2.9x2.8）
  
  型号：TPC6107(TE85L,F,M)
  仓库库存编号：TPC6107(TE85L,F,M)-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.2V @ 200μA,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P-CH 20V 10A SOP8 2-6J1B
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 10A（Ta） 1W（Ta） 8-SOP（5.5x6.0）
  
  型号：TPC8115(TE12L,Q,M)
  仓库库存编号：TPC8115(TE12L,Q,M)-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.2V @ 200μA,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P-CH 12V 6A SOP-8 ADV
  详细描述：表面贴装 P 沟道 12V 6A（Ta） 1.6W（Ta），20W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
  
  型号：TPCA8105(TE12L,Q,M
  仓库库存编号：TPCA8105(TE12L,Q,M-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.2V @ 200μA,
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  MOSFET P-CH 20V 6A VS8 2-3U1A
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 6A（Ta） 700mW（Ta） VS-8 (2.9x1.5)
  
  型号：TPCF8102(TE85L,F,M
  仓库库存编号：TPCF8102(TE85L,F,M-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.2V @ 200μA,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 20V 6A VS6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 6A（Ta） 700mW（Ta） VS-6（2.9x2.8）
  
  型号：TPC6012(TE85L,F,M)
  仓库库存编号：TPC6012(TE85LFM)-ND
  别名：TPC6012(TE85LFM)
  TPC6012TE85LFM
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.2V @ 200μA,
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