以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 80V 23A TSDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Ta），23A（Tc） 2.1W（Ta），32W（Tc） PG-TSDSON-8
  
  型号：BSZ340N08NS3 G
  仓库库存编号：BSZ340N08NS3GINCT-ND
  别名：BSZ340N08NS3GINCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 12μA,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 80V 23A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Ta），23A（Tc） 2.5W（Ta），32W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC340N08NS3GATMA1
  仓库库存编号：BSC340N08NS3GATMA1CT-ND
  别名：BSC340N08NS3 GCT
  BSC340N08NS3 GCT-ND
  BSC340N08NS3GATMA1CT-NDTR-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 12μA,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 40A TSDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），63W（Tc） PG-TSDSON-8
  
  型号：BSZ160N10NS3GATMA1
  仓库库存编号：BSZ160N10NS3GATMA1CT-ND
  别名：BSZ160N10NS3 GINCT
  BSZ160N10NS3 GINCT-ND
  BSZ160N10NS3GATMA1CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 12μA,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 18A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 5.3A（Ta），18A（Tc） 29W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC440N10NS3GATMA1
  仓库库存编号：BSC440N10NS3GATMA1CT-ND
  别名：BSC440N10NS3 GCT
  BSC440N10NS3 GCT-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 12μA,
• 无铅
• 搜索