产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 35μA,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 50A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 2.5W(Ta),69W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC076N06NS3GATMA1
仓库库存编号:
BSC076N06NS3GATMA1CT-ND
别名:BSC076N06NS3 GCT
BSC076N06NS3 GCT-ND
BSC076N06NS3GATMA1CT-NDTR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 35μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 21A 8-TSDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 21A(Tc) 57W(Tc) PG-TSDSON-8
型号:
BSZ520N15NS3 G
仓库库存编号:
BSZ520N15NS3 GCT-ND
别名:BSZ520N15NS3 GCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 35μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 21A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 21A(Tc) 68W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP530N15N3 G
仓库库存编号:
IPP530N15N3 G-ND
别名:IPP530N15N3G
IPP530N15N3GXKSA1
SP000521722
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 35μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 21A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 21A(Tc) 57W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC520N15NS3GATMA1
仓库库存编号:
BSC520N15NS3GATMA1CT-ND
别名:BSC520N15NS3 GCT
BSC520N15NS3 GCT-ND
BSC520N15NS3GATMA1CT-NDTR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 35μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 120V 37A TSDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 37A(Tc) 66W(Tc) PG-TSDSON-8
型号:
BSZ240N12NS3 G
仓库库存编号:
BSZ240N12NS3 GCT-ND
别名:BSZ240N12NS3 GCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 35μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 21A
详细描述:表面贴装 N 沟道 21A(Tc) 68W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD530N15N3GATMA1
仓库库存编号:
IPD530N15N3GATMA1CT-ND
别名:IPD530N15N3GATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 35μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3-2
详细描述:表面贴装 N 沟道 80A(Tc) 71W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB80N04S404ATMA1
仓库库存编号:
IPB80N04S404ATMA1CT-ND
别名:IPB80N04S404ATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 35μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 10A PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 3.2A(Ta),20A(Tc) 2.8W(Ta),29W(Tc) 8-PQFN(3x3)
型号:
IRFHM3911TRPBF
仓库库存编号:
IRFHM3911TRPBF-ND
别名:SP001575850
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 35μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 20A(Tc) 2.1W(Ta),69W(Tc) PG-TSDSON-8
型号:
BSZ076N06NS3GATMA1
仓库库存编号:
BSZ076N06NS3GATMA1CT-ND
别名:BSZ076N06NS3GINCT
BSZ076N06NS3GINCT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 35μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3-1
详细描述:通孔 N 沟道 40V 80A(Tc) 71W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP80N04S404AKSA1
仓库库存编号:
IPP80N04S404AKSA1-ND
别名:IPP80N04S4-04
IPP80N04S4-04-ND
SP000646196
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 35μA,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 21A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 21A(Tc) 68W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB530N15N3GATMA1
仓库库存编号:
IPB530N15N3GATMA1CT-ND
别名:IPB530N15N3 GCT
IPB530N15N3 GCT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 35μA,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3-1
详细描述:通孔 N 沟道 40V 80A(Tc) 71W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI80N04S404AKSA1
仓库库存编号:
IPI80N04S404AKSA1-ND
别名:IPI80N04S4-04
IPI80N04S4-04-ND
SP000646190
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 21A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 150V 21A(Tc) 68W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI530N15N3GXKSA1
仓库库存编号:
IPI530N15N3GXKSA1-ND
别名:IPI530N15N3 G
IPI530N15N3 G-ND
SP000807642
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 35μA,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 120V 37A 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 120V 37A(Tc) 66W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC240N12NS3 G
仓库库存编号:
BSC240N12NS3 GCT-ND
别名:BSC240N12NS3 GCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 35μA,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 21A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 21A(Tc) 68W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD530N15N3GBTMA1
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IPD530N15N3GBTMA1CT-ND
别名:IPD530N15N3 GCT
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